 摘 要 |
本发明涉及一种直流电源缓启动控制电路,包括串在负RTN输入电压端上的晶体开关管VT1,还包括正VIN、负RTN输入电压端之间的分压电路以及该分压电路分压节点与负RTN输入电压端之间的电容C1,所述晶体开关管VT1的控制端与所述分压节点连接。这种电路通过让作为晶体开关管的MOSFET由夹断区经恒流区向欧姆区过渡,等效一由大变小的串联阻抗来抑制冲击电流,达到缓启动的目的,另外,在控制端增加电荷快放电路,在下电后加速MOSFET关断,从而能够适应快速频繁插拔的环境。 |
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申请人 |
中兴通讯股份有限公司 |
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地址 |
518057广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦法律部 |
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发明(设计)人 |
谢戡 谭建 胡庆涛 王洪来 |
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主分类号 |
H02M1/36(2007.01)I |
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分类号 |
H02M1/36(2007.01)I |
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法律状态 |
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本专利更多信息
| 主权项 | |
| 公开(公告)号 | 101252309 |
| 公开(公告)日 | 2008-08-27 |
| 专利代理机构 | 北京安信方达知识产权代理有限公司 |
| 代理人 | 龙洪 霍育栋 |
| 颁证日 | |
| 优先权 | |
| 国际申请 | |
| 国际公布 | |
| 进入国家日期 | |
