活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法 Soopat专利搜索

活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法
申请号：200710164825 申请日：2007-12-25


摘要	本发明公开了一种活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法。先对活塞环进行电解抛光和超声波清洗处理;再将清洗后的活塞环放入射频等离子体增强化学气相沉积设备中,系统抽真空至5×10^-3PA,以硅烷和氨气为反应气源,在硅烷流量15～45SCCM、硅烷和氨气流量比1/2～1/4、沉积温度300～500℃、射频功率90～150W的条件下,沉积10～30MIN停止,在活塞环的上表面和侧面得到氮化硅膜层;自然冷却后取出。所得氮化硅膜层活塞环的表面硬度可达900-1400HV,明显高于普通镀铬产品800HV的硬度。膜层良好的耐蚀耐磨性能和自润滑特性,可有效提高活塞环的使用性能,改善工作稳定性,延长寿命。该方法克服了传统镀铬活塞环能耗大、污染严重、工艺复杂等弊端。

申请人	浙江理工大学

地址	310018浙江省杭州市江干区经济技术开发区白杨街道2号大街5号

发明(设计)人	杜平凡席珍强王龙成徐敏汪新颜姚剑

主分类号	C23C16/517(2006.01)I

分类号	C23C16/517(2006.01)I C23C16/02(2006.01)I F02F5/00(2006.01)I F16J9/26(2006.01)I

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