用于制造具有平面接触的半导体器件的方法以及半导体器件 Soopat专利搜索

用于制造具有平面接触的半导体器件的方法以及半导体器件
申请号：200680031823 申请日：2006-08-30


摘要	在本发明用于制造半导体器件、尤其是具有借助衬底(1)上的电子组件(2)产生的表面结构或形貌结构的半导体结构的方法中,将一个或多个电子组件(2)敷设到衬底(1)上,并且将隔离层(3)敷设到借助衬底(1)上的该至少一个组件(2)产生的形貌结构上。接着在隔离层(3)中的所述至少一个电子组件(2)的接触位置(8,9)上产生接触开口(5),将隔离层(3)和接触位置(8,9)平面地金属化到接触开口(5)中,并且将该金属层结构化以产生电连接(4),其中隔离层(3)具有玻璃涂层。

申请人	奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

地址	德国雷根斯堡

发明(设计)人	K·韦德纳

主分类号	H01L23/051(2006.01)I

分类号	H01L23/051(2006.01)I H01L23/482(2006.01)I H01L33/00(2006.01)I

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