搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

异质结倍增层增强型AlGaN日盲雪崩光电二极管及其制备方法
有权
阅读授权文献

申请号:201510816440.9 申请日:2015-11-23
摘要:本发明公开了一种异质结倍增层增强型AlGaN日盲雪崩光电二极管,其结构从下至上依次为:AlN模板层、AlxGa1-xN缓冲层、n型AlxGa1-xN层、i型AlyGa1-yN吸收层、n型AlyGa1-yN分离层、i型AlyGa1-yN倍增层、i型AlzGa1-zN倍增层、p型AlzGa1-zN层、p型GaN层,在n型AlxGa1-xN层上引出n型欧姆电极,在p型GaN层上引出p型欧姆电极,所述x、y、z满足0.2≤z<y<x,且y≥z+0.2。还公开了其制备方法。本发明设计的SAM结构异质结倍增层增强型AlGaN日盲雪崩光电二极管,可明显提高空穴的离化率、降低电子的碰撞离化、降低APD雪崩击穿时的器件噪声,有助于提高APD器件的整体性能。
申请人: 南京大学
地址: 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号
发明(设计)人: 陈敦军 张荣 郑有炓
主分类号: H01L31/107(2006.01)I
分类号: H01L31/107(2006.01)I H01L31/0304(2006.01)I H01L31/18(2006.01)I
  • 法律状态
2017-03-29  授权
2016-02-17  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/107申请日:20151123
2016-01-20  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种异质结倍增层增强型AlGaN日盲雪崩光电二极管,其结构从下至上依次为:AlN模板层、AlxGa1?xN缓冲层、n型AlxGa1?xN层、i型AlyGa1?yN吸收层、n型AlyGa1?yN分离层、i型AlyGa1?yN倍增层、i型AlzGa1?zN倍增层、p型AlzGa1?zN层、p型GaN层,在n型AlxGa1?xN层上引出n型欧姆电极,在p型GaN层上引出p型欧姆电极,其特征在于:所述x、y、z满足0.2≤z<y<x,且y≥z+0.2。
公开号  105261668A
公开日  2016-01-20
专利代理机构  北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350
代理人  王清义
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期