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紫外半导体发光器件及其制造方法
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申请号:201510219302.2 申请日:2015-04-30
摘要:本发明公开了一种紫外半导体发光器件及其制造方法。该半导体发光器件包括主要由n型层、量子阱层和p型层组成的外延结构层以及p型、n型电极,所述p型层上还依次设有石墨烯-Ag纳米复合层和导电反射层,所述石墨烯-Ag纳米复合层与p型层形成欧姆接触。进一步的,所述石墨烯-Ag纳米复合层包括:形成于p型层上的Ag纳米材料层,所述Ag纳米材料层包含Ag纳米点和/或Ag纳米线以及覆盖在所述Ag纳米材料层上的石墨烯薄膜;或者,石墨烯量子点负载Ag纳米粒子复合体层。本发明的半导体发光器件具有外部量子效率高、出光效率高、开启电压低、散热性好、稳定性高等优点,且制备工艺简单可控,成本低廉,适于工业化生产。
申请人: 南京大学
地址: 210093 江苏省南京市汉口路22号
发明(设计)人: 周玉刚 余显正 张荣
主分类号: H01L33/40(2010.01)I
分类号: H01L33/40(2010.01)I H01L33/00(2010.01)I
  • 法律状态
2017-07-07  授权
2015-08-26  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/40申请日:20150430
2015-07-29  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种紫外半导体发光器件,包括主要由n型层、量子阱层和p型层组成的外延结构层以及p型、n型电极,其特征在于所述p型层上还依次设有石墨烯?Ag纳米复合层和导电反射层,所述石墨烯?Ag纳米复合层与p型层形成欧姆接触。
公开号  104810455A
公开日  2015-07-29
专利代理机构  南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256
代理人  王锋
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期