中国专利搜索 世界专利搜索 专利分类查询 专利引用检索 专利族检索
登陆 | |

非对称凹陷栅极金属氧化物半导体场效应晶体管及其制法
无权-未缴年费

Asymmetric recessed gate mosfet and method for manufacturing the same

申请号:200510082157.4 申请日:2005-07-04
摘要:本发明公开一种非对称凹陷栅极MOSFET,和一种用于制造非对称凹陷栅极MOSFET的方法。非对称凹陷栅极MOSFET包括:一半导体中以一预定深度形成的凹陷区;于一半导体衬底上以间隙填充该凹陷区而以一预定高度所形成的凹陷栅极电极,且与对应源极/漏极区之一者的凹陷区错位;形成于凹陷栅极电极的侧面上的间隙壁;以及注入有掺杂剂的形成于曝露于间隙壁之间的半导体衬底中的源极/漏极区。栅极电极与源极/漏极区之间的重叠可藉于凹陷栅极结构中具有与凹陷区错位的源极/漏极区之一者被减低,且由一电场最大点A与一应力最大点B间的一致性所造成的异常漏电流,可藉改变源极/漏极区的外形被急剧地减低。
Abstract:
申请人: 海力士半导体有限公司
Applicant: HYNIX SEMICONDUCTOR INC[KR]
地址: 韩国京畿道
发明(设计)人: 徐文植
Inventor: SUH MOON S[KR]
主分类号: H01L29/786(2006.01)I
分类号: H01L29/786(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I
  • 法律状态
2014-08-27  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 29/786申请日:20050704授权公告日:20090624终止日期:20130704
2009-06-24  授权
2006-08-23  
2006-06-28  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种非对称凹陷栅极金属氧化物半导体场效应晶体管,包括: 于一半导体中以一预定深度所形成的凹陷区; 于一半导体衬底上藉间隙填充该凹陷区而以一预定高度所形成的凹陷 栅极电极; 以一掺杂剂注入的源极与漏极区,其中所述凹陷栅极电极与对应所述源 极或漏极区之一者的凹陷区错位;以及 形成于所述凹陷栅极电极的侧面上的间隙壁,其中所述源极/漏极区被形 成于曝露于所述间隙壁之间的所述半导体衬底中。
公开号  1794467A
公开日  2006-06-28
专利代理机构  北京市柳沈律师事务所
代理人  陶凤波 侯宇
颁证日  
优先权  2004.12.24 KR 112365/04
 
国别 优先权号 优先权日 类型
KR  112365/04  20041224 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
注:不保证该信息的有效性、完整性、准确性,以上信息也不具有任何效力,仅供参考。使用前请另行委托专业机构进一步查核,使用该信息的一切后果由用户自行负责。
X:单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件;
Y:与检索报告中其他 Y类文件组合后影响权利要求的创造性的文件;
A:背景技术文件,即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件;
R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
  • 期刊对比文献
类型 阶段 期刊文摘名称 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 书籍对比文献
类型 阶段 书名 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数