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薄膜晶体管阵列基板、液晶显示装置和该基板的制造方法
无权-未缴年费
权利转移

Array base plate, liquid-crystal displaying device of thin-film transistor, and method for production of said base plate

申请号:96107917.7 申请日:1996-05-30
摘要:本发明的目的是提供一种能确实地修复点缺陷的薄膜晶体管阵列及其制造方法。该阵列具备跨接于相邻的2个象素上的点缺陷修复图形和在此点缺陷修复图形上介入栅极绝缘膜或者存储电容电介质膜形成的岛,对于已被识别为点缺陷的象素,先用激光切断其象素的晶体管部分,之后在象素电极的一部分和相邻象素的一部分上照射激光,通过介入点缺陷修复图形使相邻象素的象素电极彼此间短路来进行修复。
Abstract:
申请人: 株式会社先进展示
Applicant: ADVANCED DEMONSTRATION K K[JP]
地址: 日本熊本县菊池郡
发明(设计)人: 阪本弘和
Inventor: HIROKAZU ITAMOTO[JP]
主分类号: G02F1/1333
分类号: G02F1/1333
  • 法律状态
2010-08-04  未缴年费专利权终止IPC(主分类):G02F 1/1333申请日:19960530授权公告日:20030409
2008-02-13  专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)变更项目:专利权人变更前权利人:株式会社先进展示 地址: 日本熊本县菊池郡变更后权利人:三菱电机株式会社 地址: 日本东京都登记生效日:2008.1.4
2003-04-09  授权
1998-08-26  
1997-02-05  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种TFT阵列基板,其特征是: 具备有:在透明绝缘基板上形成的并由金属薄膜构成的兼备 有栅极电极的栅极布线;通过介入栅极绝缘膜在该栅极布线上设 置的半导体层;与该半导体层一起构成半导体器件的兼备有源极 电极的源极布线和漏极电极;由设于上述半导体器件的近傍的透 明导电膜构成的象素电极;由与上述栅极布线相同的金属材料构 成且配置成跨在相邻的两个象素上的第1金属图形;在上述第1 金属图形的上边通过介入上述栅极绝缘膜而配置的用与源极布线 漏极电极相同的金属材料构成的第2金属图形; 用激光照射使上述第1金属图形和上述第2金属图形熔融而 连接起来的办法把相邻的两个象素电极连接起来以修复象素缺 陷。
公开号  1142057A
公开日  1997-02-05
专利代理机构  中国专利代理(香港)有限公司
代理人  杜有文 叶恺东
颁证日  
优先权  1995.6.21 JP 154863/95;1995.6.21 JP 154864/95;1995.5.30 JP 131695/95
 
国别 优先权号 优先权日 类型
JP  JP19950154863  19950621 
JP  154863/95  19950621 
JP  154864/95  19950530 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
注:不保证该信息的有效性、完整性、准确性,以上信息也不具有任何效力,仅供参考。使用前请另行委托专业机构进一步查核,使用该信息的一切后果由用户自行负责。
X:单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件;
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A:背景技术文件,即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件;
R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
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