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具凸块结构的半导体装置及其制造方法
审中-实审

Semiconductor device having a bump structure and method for manufacturing the same

申请号:201810292068.X 申请日:2018-04-03
摘要:一种具凸块结构的半导体装置的制造方法,于形成该具凸块结构的半导体装置后另对该具凸块结构的半导体装置的该凸块或该凸块下金属层进行额外蚀刻,使该具凸块结构的半导体装置的性能及外观能符合规范。
Abstract: A method for manufacturing a semiconductor device includes an extra etching process. A bump or an (Under Bump Metal) UBM layer is etched additionally in the extra etching process after forming the semiconductor device such that the semiconductor device can conform to the standard of performance and appearance.
申请人: 颀邦科技股份有限公司
Applicant: CHIPBOND TECHNOLOGY CORP
地址: 中国台湾新竹科学工********(隐藏)
发明(设计)人: 李俊德 刘明昇
Inventor: LEE CHUN-TE; LIU MING-SHENG
主分类号: H01L23/485(2006.01)I
分类号: H01L23/485(2006.01)I H01L21/60(2006.01)I
  • 法律状态
2019-08-06  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/485申请日:20180403
2019-07-12  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种具凸块结构的半导体装置的制造方法,其特征在于,其包含:提供基板,该基板具有导接垫及保护层,该保护层的开口显露该导接垫;形成凸块下金属层于该基板上,该凸块下金属层覆盖该保护层及该开口显露的该导接垫;形成图案化光阻层于该凸块下金属层上,该图案化光阻层的开孔显露该凸块下金属层;于该图案化光阻层的该开孔中形成凸块,该凸块电性连接该凸块下金属层;剥离该图案化光阻层以显露该凸块的侧壁及未被该凸块罩盖的该凸块下金属层;以该凸块作为遮罩对该凸块下金属层进行蚀刻,以显露该保护层;以及对该凸块或该凸块下金属层进行额外蚀刻,以调整该凸块的尺寸、清除残留的金属或清除该凸块的脏污。
公开号  110010576A
公开日  2019-07-12
专利代理机构  北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019
代理人  寿宁 张华辉
颁证日  
优先权  2018.01.05 TW 107100404
 
国别 优先权号 优先权日 类型
TW  107100404  20180105 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
SEA  CN1523652A  20040825  1-10  全文 
SEA  US2005026450A1  20050203  8-10  说明书第1页第2段至第16页最后一段,附图1a-1g 
SEA  CN1630038A  20050622  8-10  说明书第4页第2段至第5页最后一段,附图1A-1F 
SEA  CN101248521A  20080820  8-10  说明书第1页第2段至第16页最后一段,附图1a-1g 
SEA  CN101248521A  20080820  1-7,10   
注:不保证该信息的有效性、完整性、准确性,以上信息也不具有任何效力,仅供参考。使用前请另行委托专业机构进一步查核,使用该信息的一切后果由用户自行负责。
X:单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件;
Y:与检索报告中其他 Y类文件组合后影响权利要求的创造性的文件;
A:背景技术文件,即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件;
R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
  • 期刊对比文献
类型 阶段 期刊文摘名称 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 书籍对比文献
类型 阶段 书名 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数