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包含角部凹陷的半导体装置
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Semiconductor device including corner recession

申请号:201611187693.5 申请日:2016-12-20
摘要:公开了一种半导体裸芯,其包含角部凹陷,以避免制造过程中半导体裸芯破裂。在从晶片切片半导体裸芯之前,可以在晶片中、半导体裸芯的任意对之间的角部处形成凹陷。可以通过激光或光刻工艺在半导体裸芯之间的切口区域中形成凹陷。一经形成,角部凹陷防止半导体裸芯的破裂或损坏,否则,由于在背面研磨工艺期间相邻的半导体裸芯相对于彼此移动,该破裂或损坏可能发生在相邻的半导体裸芯的角部。
Abstract: Disclosed in the invention is a semiconductor bare core including a corner recession. Therefore, the semiconductor bare core is protected from being broken during the manufacturing process. Before cutting of a semiconductor bare core from a wafer, recessions are formed corner parts between any pairs of the semiconductor bare core in the wafer. A recession is formed in a notch region between the semiconductor bare cores by using a laser or photoetching process. After formation, the semiconductor bare core is protected from being broken or damaged because of the corner recession; otherwise, theadjacent semiconductor bare cores move relatively during the back grinding process, so that the corner parts of the adjacent semiconductor bare cores may be broken or damaged.
申请人: 晟碟半导体(上海)有限公司 晟碟信息科技(上海)有限公司
Applicant: SANDISK INFORMATION TECH SHANGHAI CO LTD; SANDISK SEMICONDUCTOR SHANGHAI CO LTD
地址: 上海市闵行区江川东********(隐藏)
发明(设计)人: 张杭 王伟利 严俊荣 莫金理 陈治强 陈昌恩 田鑫
Inventor: HANG ZHANG; KIM LEE BOCK; CHONG UN TAN; WEILI WANG; CHEE KEONG CHIN; XIN TIAN; JUNRONG YAN
主分类号: H01L23/00(2006.01)I
分类号: H01L23/00(2006.01)I H01L21/78(2006.01)I
  • 法律状态
2020-06-02  授权
2018-07-20  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/00申请日:20161220
2018-06-26  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种半导体晶片,包含:第一主表面;第二主表面,所述第二主表面与所述第一主表面相反;多个半导体裸芯,所述多个半导体裸芯包含形成在所述晶片的所述第一主表面中、所述半导体裸芯的有源区域中的集成电路;切口区域,所述切口区域包含切口线的第一集和第二集,所述切口线围绕所述多个半导体裸芯的所述有源区域;以及多个角部凹陷,所述多个角部凹陷形成在所述晶片的所述第一主表面中、位于所述切口线的第一集和第二集的交点处。
公开号  108206161A
公开日  2018-06-26
专利代理机构  北京市柳沈律师事务所 11105
代理人  邱军
颁证日  
优先权  
 
国别 优先权号 优先权日 类型
CN  201611187693  20161220 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
SEA  US2008012096A1  20080117  1-22  说明书[0023]-[0043]段,附图1-9 
SEA  CN101297394A  20081029  1-22  全文 
SEA  CN103568139A  20140212  1-22  全文 
注:不保证该信息的有效性、完整性、准确性,以上信息也不具有任何效力,仅供参考。使用前请另行委托专业机构进一步查核,使用该信息的一切后果由用户自行负责。
X:单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件;
Y:与检索报告中其他 Y类文件组合后影响权利要求的创造性的文件;
A:背景技术文件,即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件;
R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
  • 期刊对比文献
类型 阶段 期刊文摘名称 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 书籍对比文献
类型 阶段 书名 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数