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一种新型多级半导体致冷器件
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Novel multistage semiconductor refrigerating device

申请号:201410820862.9 申请日:2014-12-24
摘要:本发明公开了一种新型多级半导体致冷器件,包括上下层基板和热电组件,上层基板包括多块上分板,下层基板包括多块与上分板一一对应的下分板,热电组件划分为若干热电单元,各热电单元的热流方向间隔反向设置,本发明将整块上下层基板切割成多块物理隔断的上下分板,同时将热电组件划分为若干单元,在上下层基板表面形成多个温区,将传统多级致冷器存在于厚度方向的温度梯度转变为存在于基板表面水平方向的温度梯度,构成具有传统单级致冷器件较低厚度的高温差多级致冷器,满足在特写狭窄空间内的高温差和低厚度的冷却使用要求。
Abstract: The invention discloses a novel multistage semiconductor refrigerating device which comprises upper and lower layer substrates and a thermoelectric module. The upper layer substrate comprises a plurality of upper branch plates; the lower layer substrate comprises a plurality of lower branch plates corresponding to the upper branch plates; the thermoelectric module is divided into a plurality of thermoelectric units; heat flow directions of the thermoelectric units are reversely arranged at intervals. According to the invention, the integral upper and lower layer substrates are cut into a plurality of physically separated upper and lower branch plates, meanwhile, the thermoelectric module is divided into a plurality of thermoelectric units, a plurality of temperature regions are formed on the surfaces of the upper and lower layer substrates and temperature gradient of a conventional multistage refrigerator in the thickness direction is changed into temperature gradient in the horizontal direction of the surfaces of the substrates so as to form a high temperature difference multistage refrigerator with a small thickness of a conventional single-stage refrigerator and meet the cooling use requirements for high temperature difference and a small thickness in a special narrow space.
申请人: 杭州大和热磁电子有限公司
Applicant: HANGZHOU DAHE THERMO MAGNETICS CO LTD
地址: 310053 浙江省杭州市滨江区********(隐藏)
发明(设计)人: 姜宇锋 吴永庆 杨梅
Inventor: JIANG YUFENG; WU YONGQING; YANG MEI
主分类号: H01L23/367(2006.01)I
分类号: H01L23/367(2006.01)I H01L35/30(2006.01)I
  • 法律状态
2017-06-23  授权
2015-06-17  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/367申请日:20141224
2015-05-20  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种新型多级半导体致冷器件,包括上层基板(1)、下层基板(2)和位于上下层基板之间的热电组件(3),所述热电组件由若干P型?N型半导体电偶对与导流片(4)组成,其特征在于:所述上层基板包括多块相互嵌合的上分板,各上分板之间嵌设有隔热材料,下层基板包括多块相互嵌合且与上分板一一对应的下分板,各下分板之间嵌设有隔热材料,其中至少一块下分板面积大于其对应的上分板面积,所述热电组件划分为若干热电单元,各热电单元的分布区域与相应的上下分板对应,各热电单元的热流方向间隔反向设置,上分板和下分板的外侧表面均覆有导热材料,多块上分板构成多温区表面的上层基板,多块下分板构成多温区表面的下层基板,具有多温区表面的上下层基板与相应热电单元构成多级半导体致冷器件。
公开号  104637896A
公开日  2015-05-20
专利代理机构  杭州杭诚专利事务所有限公司 33109
代理人  尉伟敏 方琦
颁证日  
优先权  
 
国别 优先权号 优先权日 类型
CN  201410820862  20141224 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
SEA  CN1610139A  20050427  1-8  全文 
SEA  CN1645013A  20050727  1-8  全文 
SEA  CN200943974Y  20070905  1-8  全文 
SEA  CN201503164U  20100609  1-8  全文 
SEA  CN204361077U  20150527  1-8  权利要求1-8 
注:不保证该信息的有效性、完整性、准确性,以上信息也不具有任何效力,仅供参考。使用前请另行委托专业机构进一步查核,使用该信息的一切后果由用户自行负责。
X:单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件;
Y:与检索报告中其他 Y类文件组合后影响权利要求的创造性的文件;
A:背景技术文件,即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件;
R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
  • 期刊对比文献
类型 阶段 期刊文摘名称 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 书籍对比文献
类型 阶段 书名 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 附加信息
同族专利
CN104637896B
 
引用文献
CN1610139ACN1645013ACN200943974Y
CN201503164UCN204361077U
 
被引用文献