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包覆结构复合导电陶瓷材料和阴极接触层及其制备方法
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Coating-structure composite conducting ceramic material and cathode contact layer, and their preparation method

申请号:201210204052.1 申请日:2012-06-20
CN201210204052
CN103427092A
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摘要:本发明提供一种包覆结构复合导电陶瓷材料和阴极接触层及其制备方法,所述复合导电陶瓷材料可作为SOFC阴极-连接体之间的接触层,具有由尖晶石结构相包覆钙钛矿结构相形成的包覆结构。此类复合材料在表现出还原尖晶石材料的低温烧结活性的同时,由于高致密度及高电导钙钛矿颗粒的使用,可有效地提高复合材料的电导性能,其结合了钙钛矿电导率高及还原后的尖晶石粉体烧结活性好的优点。此类包覆结构复合材料成本低廉,性能优越,有望取代昂贵的贵金属作为接触层材料,可极大地降低SOFC制备成本,具有极高的应用价值。
Abstract: The invention provides a coating-structure composite conducting ceramic material and a cathode contact layer, and their preparation method. The coating-structure composite conducting ceramic material can be used as a contact layer between a SOFC cathode and a connector and has a coating structure composed of a spinel structure and perovskite coated by the spinel structure. The coating-structure composite conducting ceramic material has low-temperature sintering activity of a spinel material. Through use of high-density and high-conductance perovskite particles, composite material electroconductibility can be effectively improved, and high perovskite electroconductibility and good sintering activity of reduced spinel powder are obtained. The coating-structure composite conducting ceramic material has a low cost and excellent performances, can replace an expensive precious metal as a contact layer material, can greatly reduce a SOFC preparation cost and has high application values.
申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Applicant: SHANGHAI INST CERAMICS
地址: 200050 上海市长宁区定西路********(隐藏)
发明(设计)人: 辛显双 王绍荣 钱继勤 占忠亮 温廷琏
Inventor: XIN XIANSHUANG; WANG SHAORONG; QIAN JIQIN; ZHAN ZHONGLIANG; WEN TINGLIAN
主分类号: H01M4/86
分类号: H01M4/86 H01M4/88
  • 法律状态
2015-11-04  授权
2013-12-25  实质审查的生效IPC(主分类):H01M 4/86申请日:20120620
2013-12-04  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种包覆结构复合导电陶瓷材料,用于SOFC阴极?连接体之间的接触层,其特征在于,所述复合导电陶瓷材料具有由尖晶石结构相包覆钙钛矿结构相形成的包覆结构。
公开号  103427092A
公开日  2013-12-04
专利代理机构  上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261
代理人  曹芳玲
颁证日  
优先权  
 
国别 优先权号 优先权日 类型
CN  201210204052  20120620 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
SEA  CN101670999A  20100317  1-17  全文 
SEA  CN101671829A  20100317  1-17  全文 
注:不保证该信息的有效性、完整性、准确性,以上信息也不具有任何效力,仅供参考。使用前请另行委托专业机构进一步查核,使用该信息的一切后果由用户自行负责。
X:单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件;
Y:与检索报告中其他 Y类文件组合后影响权利要求的创造性的文件;
A:背景技术文件,即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件;
R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
  • 期刊对比文献
类型 阶段 期刊文摘名称 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
SEA  《Journal of The Electrochemical Society》  X. Montero et al.  Spinel and Perovskite Protection Layers Between Crofer22APU and La0.8Sr0.2FeO3 Cathode Materials for SOFC Interconnects  1-7  第B188-B196页 
X. MONTERO ET AL.: "Spinel and Perovskite Protection Layers Between Crofer22APU and La0.8Sr0.2FeO3 Cathode Materials for SOFC Interconnects", 《JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY》 
  • 书籍对比文献
类型 阶段 书名 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 附加信息
同族专利
CN103427092B
 
引用文献
CN101670999ACN101671829A
 
被引用文献
CN106848212ACN108832136ACN111509261A
CN111525152A
 

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