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一种线路修补结构及修补方法
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Circuit repair structure and method

申请号:201310261423.4 申请日:2013-06-27
摘要:本发明实施例公开了一种线路修补结构及修补方法,用于修补薄膜晶体管阵列基板上沿不同方向延伸的电连接线在相互交叉处所形成的断路。所述线路修补结构包括从断路点所在的电连接线朝同一侧延伸而出并连通断路点两端的修补线及保护图案。所述修补线穿过与断路点所在电连接线相交的另一电连接线。所述保护图案设置在修补线与修补线所穿过的电连接线之间。
Abstract: An embodiment of the invention discloses a circuit repair structure and method, and aims to repair an open circuit formed at the intercrossing position of electric wires extending along different directions on a thin film transistor array substrate. The circuit repair structure comprises a repair wire and a protection pattern. The repair wire extends towards the same side of the electric wires at which the open circuit point located and connects two ends of the open circuit point. The repair wire penetrates another electric wire crossed the electric wire at which the open circuit located. The protection pattern is arranged between the repair wire and the electric wire that the repair wire crosses.
申请人: 深圳市华星光电技术有限公司
Applicant: SHENZHEN HUAXING OPTOELECT TEC
地址: 518132 广东省深圳市光明新********(隐藏)
发明(设计)人: 徐亮
Inventor: XU LIANG
主分类号: H01L23/525(2006.01)I
分类号: H01L23/525(2006.01)I H01L27/12(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I
  • 法律状态
2015-12-23  授权
2013-10-23  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/525申请日:20130627
2013-09-18  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种线路修补结构,其用于修补薄膜晶体管阵列基板(11)上沿不同方向延伸的电连接线在相互交叉处所形成的断路,所述薄膜晶体管阵列基板(11)包括沿第一方向延伸的扫描线(110)、沿第二方向延伸的数据线(112)、位于扫描线(110)与数据线(112)相交处的TFT(113)、及与TFT(113)相连接的像素电极(114),所述线路修补结构包括从断路点所在的电连接线朝同一侧延伸而出并连通断路点两端的修补线(10)及非晶硅保护图案(12),所述修补线(10)穿过与断路点所在电连接线相交的另一电连接线,所述非晶硅保护图案(12)设置在修补线(10)与修补线(10)所穿过的电连接线之间。
公开号  103311220A
公开日  2013-09-18
专利代理机构  广东广和律师事务所 44298
代理人  刘敏
颁证日  
优先权  
 
国别 优先权号 优先权日 类型
CN  201310261423  20130627 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
SEA  CN102914888A  20130206  1-10  全文 
SEA  CN1877844A  20061213  1-5  说明书第2页第1行-第9页第15行,附图1-3 
SEA  CN1570742A  20050126  1-10  全文 
SEA  US2001035920A1  20011101  1-5  说明书第[0035]-[0076]段,附图2-9 
注:不保证该信息的有效性、完整性、准确性,以上信息也不具有任何效力,仅供参考。使用前请另行委托专业机构进一步查核,使用该信息的一切后果由用户自行负责。
X:单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件;
Y:与检索报告中其他 Y类文件组合后影响权利要求的创造性的文件;
A:背景技术文件,即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件;
R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
  • 期刊对比文献
类型 阶段 期刊文摘名称 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 书籍对比文献
类型 阶段 书名 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数