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晶片封装体及其形成方法
无权-未缴年费
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申请号:201110209118.1 申请日:2011-07-22
摘要:本发明提供一种晶片封装体及其形成方法,该晶片封装体包括:一基底,具有一上表面及一下表面;多个导电垫,位于该基底的该下表面之下;一介电层,位于所述导电垫之间;一沟槽,自该基底的该上表面朝该下表面延伸;一孔洞,自该沟槽的一底部朝该基底的该下表面延伸,其中该孔洞的一侧壁垂直于该基底的该下表面,且该孔洞的该侧壁或一底部露出部分的所述导电垫;以及一导电层,位于该孔洞之中且电性接触至少一所述导电垫。本发明不仅可增进结构可靠度,还能增加穿基底导通结构所连接的导电通路。
Abstract:
申请人: 精材科技股份有限公司
Applicant:
地址: 中国台湾桃园县
发明(设计)人: 颜裕林 陈键辉 刘沧宇 尤龙生
Inventor:
主分类号: H01L23/48(2006.01)I
分类号: H01L23/48(2006.01)I H01L23/485(2006.01)I H01L21/60(2006.01)I H01L23/00(2006.01)I
  • 法律状态
2020-07-10  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L23/48授权公告日:20160608终止日期:20190722
2016-06-08  授权
2013-03-06  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/48申请日:20110722
2013-01-23  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种晶片封装体,其特征在于,包括:一基底,具有一上表面及一下表面;堆叠的多个导电垫,位于该基底的该下表面之下,其中所述导电垫中的一上层导电垫的中间具有至少一开口或沟槽,该开口或该沟槽露出所述导电垫中的一下层导电垫;一介电层,位于所述导电垫之间;一沟槽,自该基底的该上表面朝该下表面延伸;一孔洞,自该沟槽的一底部朝该基底的该下表面延伸,其中该孔洞的一侧壁垂直于该基底的该下表面,且该孔洞的该侧壁或一底部露出部分的所述导电垫;一导电层,位于该孔洞之中且电性接触所述导电垫;以及一防焊层,位于该导电层之上,其中至少一气泡或空隙位于该防焊层之中。
公开号  102891120B
公开日  2016-06-08
专利代理机构  北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277
代理人  刘新宇
颁证日  
优先权  
 
国别 优先权号 优先权日 类型
CN  201110209118  20110722 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
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