CN201110263453
CN102424375A
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摘要：本发明提供一种制备碳纳米管垂直阵列的方法。所述方法包括如下步骤：(1)在基片表面上沉积厚度为3-20纳米的铝膜；(2)根据需要在室温下氧化或者在低于200摄氏度的温度下氧化所述铝膜；(3)在所述铝膜或氧化铝膜上沉积0.2-1.0纳米的催化剂层；(4)在所述催化剂层上沉积不厚于0.5纳米的铝膜；(5)在0.1-100毫巴低压还原性气氛中对所述步骤(4)的产物进行预热或预处理；(6)在550-850摄氏度的生长温度引入0.1％-50％浓度的碳源气体进行单壁碳纳米管垂直阵列的生长。发明克服了或至少减轻现有技术制备单壁碳纳米管的弊端，通过尽可能简单的技术和工艺实现单壁碳纳米管垂直阵列的制备，对单壁碳纳米管的直径、密度和长度可进行非常有效的控制。 |
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| Abstract： The invention provides a preparation method for a vertical single wall carbon nanotube array. The method comprises the following steps: (1) depositing an aluminum film with a thickness of 3 to 20 nanometers on the surface of a substrate; (2) oxidizing the aluminum film at room temperature or at a temperature lower than 200 DEG C as needed; (3) depositing a catalyst layer with a thickness of 0.2 to 1.0 nanometer on the aluminum film or on the oxidized aluminum film; (4) depositing an aluminum film with a thickness of no more than 0.5 nanometer on the catalyst layer; (5) preheating or pretreating a product obtained in step (4) in the presence of 0.1 to 100 millibar low pressure reducing atmosphere; (6) introducing carbon source gas with a concentration of 0.1% to 50% at a growth temperature of 550 to 850 DEG C for growth of the single walled vertical carbon nanotube array. According to the invention, the disadvantages of preparation of single walled carbon nanotubes in the prior art are overcome or at least alleviated; preparation of the single walled vertical carbon nanotube array is realized by using as-simple-as-possible technology and process, and very effective control of the diameter, density and length of the single walled vertical carbon nanotube array can be achieved. | |
| 申请人： 钟国仿 | |
| Applicant： GUOFANG ZHONG | |
| 地址： 102208 北京市昌平区田园风********(隐藏) | |
| 发明(设计)人： 钟国仿 | |
| Inventor： GUOFANG ZHONG | |
| 主分类号： C01B31/02 | |
| 分类号： C01B31/02 B82Y40/00 | |
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| 2019-05-21 | 专利权的转移IPC(主分类):C01B 31/02登记生效日:20190506变更事项:专利权人变更前权利人:钟国仿变更后权利人:深圳市纳设智能装备有限公司变更事项:地址变更前权利人:102208 北京市昌平区田园风光小区13楼3单元201号变更后权利人:518000 广东省深圳市光明区凤凰街道观光路3009号招商局光明科技园A3座212室 |
| 2013-11-13 | 授权 |
| 2012-06-06 | 实质审查的生效IPC(主分类):C01B 31/02申请日:20110907 |
| 2012-04-25 | 公开 |
| 主权项 | 一种制备碳纳米管垂直阵列的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在基片表面上沉积厚度为3？20纳米的铝膜；(2)在所述铝膜上沉积0.2？1.0纳米厚的催化剂层；(3)在所述催化剂层上沉积不厚于0.5纳米的铝膜。 | ||||||||||||||||||
| 公开号 | 102424375A | ||||||||||||||||||
| 公开日 | 2012-04-25 | ||||||||||||||||||
| 专利代理机构 | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | ||||||||||||||||||
| 代理人 | 王蕊 张一军 | ||||||||||||||||||
| 颁证日 | |||||||||||||||||||
| 优先权 |
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| 国际申请 | |||||||||||||||||||
| 国际公布 | |||||||||||||||||||
| 进入国家日期 | |||||||||||||||||||
| 类型 | 阶段 | 文献号 | 公开日期 | 涉及权利要求项 | 相关页数 |
| A | SEA | US2007092431A1 | 20070426 | 1-10 | 全文 |
| A | SEA | CN1834005A | 20060920 | 1-10 | 全文 |
| Y | SEA | CN101372327A | 20090225 | 1-10 | 权利要求2，3，7，8，10 |
| Y | SEA | CN101365649A | 20090211 | 1-10 | 权利要求8 |
| 类型 | 阶段 | 期刊文摘名称 | 作者 | 标题 | 涉及权利要求项 | 相关页数 |
| 类型 | 阶段 | 书名 | 作者 | 标题 | 涉及权利要求项 | 相关页数 |
