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用于制造半导体器件的方法
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Method for producing semiconductor device

申请号:201010131765.0 申请日:2010-03-22
摘要:本发明提供了一种用于制造半导体器件的方法,包括:在待蚀刻的半导体衬底上沉积一有机介电层(501);在有机介电层上形成一硬掩膜层(502);在硬掩膜层上涂覆一光致抗蚀剂层(503);以及对光致抗蚀剂层执行构图工艺以形成图案(504)。其中,所述形成硬掩膜层包括:在有机介电层上形成第一硬掩膜;以及在第一硬掩膜上形成第二硬掩膜。根据本发明的用于制造半导体器件的方法,不仅能够扩大光刻的DOF和工艺窗口,而且还能够得到较好的沟槽AEI顶视条痕和较好的VBD特性,从而改善半导体器件的电学性能。
Abstract: The invention provides a method for producing a semiconductor device, comprising the steps of: (501), depositing an organic dielectric layer on a semiconductor substrate to be etched; (502), forming a hard mask layer on the organic dielectric layer; (503), coating a photoresist layer on the hard mask layer; and (504), performing a pattern technique on the photoresist layer to form a pattern, wherein the step of forming the hard mask layer includes the sub-steps of forming a first hard mask on the organic dielectric layer, and forming a second hard mask on the first hard mask. According to the method for producing the semiconductor device, provided by the invention, the photolithographic DOF (Depth of Focus) and the technique window can be enlarged, and the better groove AEI (After-Etching Inspection) top view striation and the better VBD (breakdown voltage) characteristic can be obtained, thus the electric performance of the semiconductor device is improved.
申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Applicant: SEMICONDUCTOR MFG INT SHANGHAI
地址: 201203 上海市浦东新区张江********(隐藏)
发明(设计)人: 孙武 尹晓明 黄怡 武咏琴
Inventor: WU SUN; XIAOMING YIN; YI HUANG; YONGQIN WU
主分类号: H01L21/768(2006.01)I
分类号: H01L21/768(2006.01)I H01L23/522(2006.01)I G03F7/09(2006.01)I
  • 法律状态
2014-06-04  授权
2013-02-20  专利申请权的转移IPC(主分类):H01L 21/768变更事项:申请人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:申请人变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20130115
2011-11-23  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20100322
2011-09-28  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种用于制造半导体器件的方法,包括:在半导体衬底上沉积一有机介电层;在所述有机介电层上形成一硬掩膜层;在所述硬掩膜层上涂覆一光致抗蚀剂层;以及对所述光致抗蚀剂层执行构图工艺以形成图案,其中,所述形成硬掩膜层包括:在所述有机介电层上形成第一硬掩膜;以及在所述第一硬掩膜上形成第二硬掩膜。
公开号  102201365A
公开日  2011-09-28
专利代理机构  北京市磐华律师事务所 11336
代理人  董巍 顾珊
颁证日  
优先权  
 
国别 优先权号 优先权日 类型
CN  201010131765  20100322 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
SEA  CN1495879A  20040512  6-8,11-12  说明书第4页第17~18行,第29~31行,第5页第20~26行 
SEA  CN1495879A  20040512  1-5,9-10,13-14   
SEA  US6689695B1  20040210  6-8  说明书第5栏第5~22行 
SEA  CN101164147A  20080416  11-12  说明书第11页第23~25行 
SEA  US6514860B1  20030204  1-14  全文 
SEA  CN101123243A  20080213  1-14  说明书第4页第18行~第5页第第25行 
SEA  US2007287299A1  20071213  1-14  说明书第[0005]~[0013]段 
注:不保证该信息的有效性、完整性、准确性,以上信息也不具有任何效力,仅供参考。使用前请另行委托专业机构进一步查核,使用该信息的一切后果由用户自行负责。
X:单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件;
Y:与检索报告中其他 Y类文件组合后影响权利要求的创造性的文件;
A:背景技术文件,即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件;
R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
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类型 阶段 期刊文摘名称 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
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