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晶片封装体及其形成方法
无权-未缴年费

Chip package and method for forming the same

申请号:201110059862.8 申请日:2011-03-11
摘要:本发明提供一种晶片封装体及其形成方法,该晶片封装体包括:一基底,具有一上表面及一下表面;多个导电垫,位于该基底中或该下表面之下;一介电层,位于所述导电垫之间;一孔洞,自该基底的该上表面朝该下表面延伸并露出部分的所述导电垫;以及一导电层,位于该孔洞之中且电性接触所述导电垫。本发明不仅可增进结构可靠度,还能增加穿基底导通结构所连结的导电通路。
Abstract: A chip package and a method for forming the same are provided. The chip package includes a substrate having an upper surface and a lower surface, a plurality of conducting pads located in the substrate or under the lower surface thereof, a dielectric layer located between the conducting pads, a hole extending from the upper surface towards the lower surface of the substrate and exposing a portion of the conducting pads, and a conducting layer located in the hole and electrically contacting the conducting pads. The structural reliability of the chip package is improved and the conducting routes connected to the through-substrate conducting structure are increased.
申请人: 精材科技股份有限公司
Applicant: XIN TECH INC
地址: 中国台湾桃园县
发明(设计)人: 颜裕林 陈键辉 刘沧宇 尤龙生
Inventor: YU-LIN YEN; CHIEN-HUI CHEN; TSANG-YU LIU; LONG-SHENG YEOU
主分类号: H01L23/48(2006.01)I
分类号: H01L23/48(2006.01)I H01L23/485(2006.01)I H01L21/60(2006.01)I H01L23/00(2006.01)I
  • 法律状态
2020-03-10  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 23/48申请日:20110311授权公告日:20150923终止日期:20190311
2015-09-23  授权
2013-03-27  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/48申请日:20110311
2011-09-21  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种晶片封装体,其特征在于,包括:一基底,具有一上表面及一下表面;多个导电垫,位于该基底中或该下表面之下;一介电层,位于所述导电垫之间;一孔洞,自该基底的该上表面朝该下表面延伸,其中该孔洞的侧壁或底部露出部分的所述导电垫;以及一导电层,位于该孔洞之中且电性接触所述导电垫。
公开号  102194777A
公开日  2011-09-21
专利代理机构  北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277
代理人  刘新宇
颁证日  
优先权  2010.03.11 US 61/313,087;2010.03.19 US 61/315,850
 
国别 优先权号 优先权日 类型
US  61/313,087  20100311 
US  61/315,850  20100319 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
SEA  CN101355069A  20090128  1-20  全文 
SEA  CN101587886A  20091125  14-20  说明书第6页第2段-第8页第3段,附图2B 
SEA  CN101587886A  20091125  14-18、20   
SEA  TW200950040A  20091201  1-13、19  说明书第13页第3段-第19页第4段,附图5A-5F 
SEA  TW200950040A  20091201  1-13、19   
注:不保证该信息的有效性、完整性、准确性,以上信息也不具有任何效力,仅供参考。使用前请另行委托专业机构进一步查核,使用该信息的一切后果由用户自行负责。
X:单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件;
Y:与检索报告中其他 Y类文件组合后影响权利要求的创造性的文件;
A:背景技术文件,即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件;
R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
  • 期刊对比文献
类型 阶段 期刊文摘名称 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 书籍对比文献
类型 阶段 书名 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数