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晶片封装体及其制造方法
无权-未缴年费

Chip package and fabrication method thereof

申请号:201010256060.1 申请日:2010-08-13
摘要:本发明提供一种晶片封装体及其制造方法,其可在实施封装层的切割制程前,先通过晶片保护层或增设的蚀刻阻挡层覆盖在导电垫上,避免导电垫被切割残余物损害及刮伤。本发明还可选择以晶片保护层、晶片保护层上增设的蚀刻阻挡层或与导电垫同一位阶高度的金属蚀刻阻挡层或其组合,来对结构蚀刻区的层间介电层和硅基板进行蚀刻,以形成开口,便于后续半导体结构的制作,同时提高晶片封装体的良率。
Abstract: An embodiment of the present invention relates to a chip package and fabrication method thereof, which includes a chip protection layer or an additional etching stop layer to cover conducting pads to prevent dicing residue from damaging or scratching the conducting pads. According to another embodiment, a chip protection layer, an additional etching stop layer formed thereon, or a metal etching stop layer level with conducting pads or combinations thereof may be used when etching an intermetal dielectric layer at a structural etching region and a silicon substrate to form an opening for subsequent semiconductor manufacturing processes. And meanwhile, the yield of the package is improved.
申请人: 精材科技股份有限公司
Applicant: XIN TECH INC
地址: 中国台湾桃园县
发明(设计)人: 蔡佳伦 郑家明 尤龙生
Inventor: CHIA-LUN TSAI; CHIA-MING CHENG; LONG-SHENG YEOU
主分类号: H01L21/78(2006.01)I
分类号: H01L21/78(2006.01)I H01L23/00(2006.01)I
  • 法律状态
2020-07-31  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L21/78授权公告日:20160106终止日期:20190813
2016-01-06  授权
2011-07-20  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/78申请日:20100813
2011-06-01  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种晶片封装体,其特征在于,包括:一半导体基板,具有一结构蚀刻区、一元件区和一接垫区;多个导电垫,设置于该半导体基板的该接垫区上;一晶片保护层,覆盖于该半导体基板上;一绝缘蚀刻阻挡层及/或一金属蚀刻阻挡层,该绝缘蚀刻阻挡层位于该晶片保护层上,该金属蚀刻阻挡层与所述导电垫位于同一位阶高度;其中,于该结构蚀刻区处,该晶片保护层与该绝缘蚀刻阻挡层及/或该金属蚀刻阻挡层具有一连通的开口;及一封装层,覆盖该晶片保护层,其中该封装层、该晶片保护层及/或该绝缘蚀刻阻挡层,具有暴露出所述导电垫的开口。
公开号  102082120A
公开日  2011-06-01
专利代理机构  北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277
代理人  刘新宇
颁证日  
优先权  2009.12.01 US 61/265,712
 
国别 优先权号 优先权日 类型
US  61/265,712  20091201 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
SEA  CN1430405A  20030716  1-10  说明书第4页倒数第2段-第8页最后1段、附图1-6 
SEA  CN1430405A  20030716  9-10   
SEA  CN1881640A  20061220  1-8  说明书第20页最后1段-第24页第3段、附图9-20 
SEA  US6995462B2  20060207  2-4  说明书第5栏52行-43行、附图4 
SEA  US2009186449A1  20090723  1-10  说明书26-32段、附图3 
SEA  US2005101043A1  20050512  1-8  说明书24-35段、附图2A-2F 
SEA  US2009243084A1  20091001  1-8  说明书61-65段、附图8-12 
注:不保证该信息的有效性、完整性、准确性,以上信息也不具有任何效力,仅供参考。使用前请另行委托专业机构进一步查核,使用该信息的一切后果由用户自行负责。
X:单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件;
Y:与检索报告中其他 Y类文件组合后影响权利要求的创造性的文件;
A:背景技术文件,即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件;
R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
  • 期刊对比文献
类型 阶段 期刊文摘名称 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
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类型 阶段 书名 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数