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SOI变埋氧层厚度器件及其制备方法
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SOI (Silicon on Insulator) variable buried oxide layer thickness device and preparation method thereof

申请号:201010253170.2 申请日:2010-08-13
摘要:本发明涉及SOI技术。本发明解决了现有SOILDMOS器件击穿时电场分布呈现两端高、中间低,其不能充分利用漂移区的问题,提供了一种SOI变埋氧层厚度器件及其制备方法,其技术方案可概括为:SOI变埋氧层厚度器件,包括源极、漏极、埋氧层及n型顶层SOI杂质材料层,其特征在于,所述埋氧层的厚度从源极到漏极逐渐减小,n型顶层SOI杂质材料层的厚度从源极到漏极逐渐增加。本发明的有益效果是,其击穿性能大为提高,适用于SOILDMOS器件。
Abstract: The invention relates to an SOI (Silicon on Insulator) technology, which solves the problems of uneven distribution of electric field with both high ends and low middle during breakdown and insufficient utilization of a drift area of a traditional SOILDMOS (Silicon on Insulator Lateral Double Diffused Metal Oxide Semiconductor) device. The invention provides an SOI variable buried oxide layer thickness device and a preparation method thereof. in the technical scheme, the SOI variable buried oxide layer thickness device comprises a source electrode, a drain electrode, a buried oxide layer and n-shaped top SOI impurity material layer, and is characterized in that the thickness of the buried oxide layer is gradually reduced from the source electrode to the drain electrode; and the thickness of the n-shaped top SOI impurity material layer is gradually increased from the source electrode to the drain electrode. The invention has the advantage of largely enhanced breakdown performance, and is suitable for the SOILDMOS device.
申请人: 四川长虹电器股份有限公司
Applicant: SICHUAN CHANGHONG ELECTRIC CO
地址: 621000 四川省绵阳市高新区********(隐藏)
发明(设计)人: 梁涛 罗波
Inventor: TAO LIANG; BO LUO
主分类号: H01L29/78(2006.01)I
分类号: H01L29/78(2006.01)I H01L27/12(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I H01L21/762(2006.01)I
  • 法律状态
2012-03-14  授权
2011-02-02  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20100813
2010-12-15  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  SOI变埋氧层厚度器件,包括源极、漏极、埋氧层及n型顶层SOI杂质材料层,其特征在于,所述埋氧层的厚度从源极到漏极逐渐减小,n型顶层SOI杂质材料层的厚度从源极到漏极逐渐增加。
公开号  101916784A
公开日  2010-12-15
专利代理机构  成都虹桥专利事务所 51124
代理人  李顺德
颁证日  
优先权  
 
国别 优先权号 优先权日 类型
CN  201010253170  20100813 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
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