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具有多层超结结构的SOI LDMOS器件制作方法
无权-未缴年费

Method for producing SOI (Silicon on Insulator) LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) device provided with multi-layer super-junction structure

申请号:201010234273.4 申请日:2010-07-22
摘要:本发明公开了一种具有多层超结结构的SOI?LDMOS器件的制作方法,该方法采用SOI衬底对顶层硅进行离子注入形成第一层超结结构;然后在形成有至少一层超结结构的SOI衬底上制备外延层,利用与制作第一层超结结构相同的工艺条件制作另一层超结结构,且使上下层超结结构的n型柱区和p型柱区交错排列,得到至少由两层超结结构组成的多层超结结构;之后再制作体区、栅区、源区、漏区和体接触区完成器件。该方法通过外延及离子注入技术形成多层超结结构,且上下两层超结结构的p/n型柱区交错排布,能够进一步提高p/n型柱区间的接触面积,且不会带来显著的副作用,保证器件的抗击穿能力比传统的超结LDMOS更高。
Abstract: The invention discloses a method for producing an SOI LDMOS device provided with a multi-layer super-junction structure, which comprises the steps of: carrying out ion implantation on top layer silicon by adopting SOI substrate to form a first layer of super-junction structure; then preparing an extensionality layer on the SOI substrate provided with at least one layer of super-junction structure, manufacturing the other layer of super-junction structure by utilizing the same technological conditions for manufacturing the first layer of super-junction structure, and ensuring that the n-type pillar regions and the p-type pillar regions of the upper layer and the lower layer are alternately arranged to form a multi-layer super-junction structure comprising at least two layers of super-junction structure; and manufacturing body regions, grid regions, source regions, drain regions and body contact regions to finish the device. The multi-layer super-junction structure is formed by adopting the extensionality and ion implantation technology, the p-type pillar regions and the n-type pillar regions of the upper and the lower layer super-junction structures are alternately arranged to further increase the contact area among the p-type pillar regions and the n-type pillar regions without bringing remarkable side effects; and the anti-breakdown capacity of the device produced by the invention is higher than that of the traditional super-junction LDMOS.
申请人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海新傲科技股份有限公司
Applicant: SHANGHAI INST MICROSYS & INF; SHANGHAI SIMGUI TECHNOLOGY CO
地址: 200050 上海市长宁区长宁路********(隐藏)
发明(设计)人: 程新红 何大伟 王中健 徐大伟 宋朝瑞 俞跃辉
Inventor: XINHONG CHENG; DAWEI HE; ZHONGJIAN WANG; DAWEI XU; CHAORUI SONG; YUEHUI YU
主分类号: H01L21/336(2006.01)I
分类号: H01L21/336(2006.01)I H01L29/78(2006.01)I H01L29/06(2006.01)I
  • 法律状态
2019-07-12  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20100722授权公告日:20120613终止日期:20180722
2012-06-13  授权
2011-02-02  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20100722
2010-12-15  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种具有多层超结结构的S0I?LDMOS器件制作方法,其特征在于,包括以下步骤:(A)采用SOI衬底,对其顶层硅进行离子注入,形成交替排列的n型柱区和p型柱区,作为第一层超结结构;(B)在形成有至少一层超结结构的SOI衬底上外延生长单晶硅,制备外延层;然后,利用与制作第一层超结结构相同的工艺条件在外延层制作另一层超结结构,且使该另一层超结结构的n型柱区和p型柱区分别与其下的超结结构的p型柱区和n型柱区位置相对应,从而使上下层超结结构的n型柱区和p型柱区交错排列,得到至少由两层超结结构组成的多层超结结构;(C)利用浅沟槽隔离技术制作沟槽隔离结构,将包含了多层超结结构的部分硅材料隔离出来;(D)利用多次离子注入方式对所述部分硅材料中除多层超结结构以外的部分掺杂,形成p阱体区;(E)在p阱体区上靠近多层超结结构的一端制作出栅区;(F)在所述栅区的一侧,通过离子注入在p阱体区上形成体接触区和源区;(G)在所述栅区的另一侧,通过离子注入在多层超结结构上远离栅区的一端形成漏区,从而得到LDMOS器件的核心结构。
公开号  101916729A
公开日  2010-12-15
专利代理机构  上海光华专利事务所 31219
代理人  李仪萍
颁证日  
优先权  
 
国别 优先权号 优先权日 类型
CN  201010234273  20100722 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
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