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具有通孔硅的半导体封装及相关的制造方法
无权-视为撤回

Semiconductor packages with through hole silicon and method of fabricating the same

申请号:200810161102.6 申请日:2008-05-14
摘要:在半导体封装中,电极具有延伸穿过半导体衬底的第一部分和从第一部分延伸穿过复合层以到达导电焊盘的第二部分。
Abstract: In a semiconductor package, an electrode has a first part extending through a semiconductor substrate and a second part extending from the first part through a compositional layer to reach a conductive pad.
申请人: 三星电子株式会社
Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD[KR]
地址: 韩国京畿道
发明(设计)人: 张衡善 姜芸炳 权云星 权容载 李忠善 李东镐
Inventor:
主分类号: H01L23/485(2006.01)I
分类号: H01L23/485(2006.01)I H01L21/60(2006.01)I H01L27/146(2006.01)I H01L27/148(2006.01)I
  • 法律状态
2012-07-11  发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):H01L 23/485公开日:20090128
2010-07-07  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/485申请日:20080514
2009-01-28  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种半导体集成电路封装,包括: 具有第一表面和第二表面的衬底; 形成在所述第一表面之上的复合层; 形成在所述复合层上或至少部分地形成在所述复合层中的导电焊 盘; 电极,包括从所述第二表面延伸穿过衬底的第一部分和从所述第一 部分延伸穿过所述复合层以电接触所述导电焊盘的第二部分;以及 将所述电极的第一部分与所述衬底分离的间隔绝缘层。
公开号  101355069A
公开日  2009-01-28
专利代理机构  中科专利商标代理有限责任公司
代理人  戎志敏
颁证日  
优先权  2007.5.18 KR 10-2007-0048911;2007.11.30 KR 10-2007-0123811;2008.3.11 US 12/045,840
 
国别 优先权号 优先权日 类型
KR  10-2007-0048911  20070518 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
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X:单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件;
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R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
  • 期刊对比文献
类型 阶段 期刊文摘名称 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
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