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半导体芯片
无权-未缴年费

Semiconductor chip

申请号:200810092154.2 申请日:2006-03-20
摘要:一种半导体芯片,包括:半导体衬底;以及层叠膜,其形成在所述半导体衬底上,包括含碳绝缘膜,所述含碳绝缘膜在端部的碳组分比在内部的碳组分低。
Abstract: A semiconductor chip includes a semiconductor substrate, and a stacked film formed over the semiconductor substrate, which includes carbon-containing insulating films. The carbon composition of the carbon-containing insulating films is lowered in the end portions thereof than in the inner portions.
申请人: 恩益禧电子股份有限公司
Applicant: NEC ELECTRONICS CORP[JP]
地址: 日本神奈川
发明(设计)人: 大音光市 宇佐美达矢
Inventor: KOICHI OHTO[JP]; TATSUYA USAMI[JP]
主分类号: H01L23/532(2006.01)I
分类号: H01L23/532(2006.01)I
  • 法律状态
2015-05-13  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 23/532申请日:20060320授权公告日:20101201终止日期:20140320
2010-12-01  授权
2008-11-26  实质审查的生效
2008-10-01  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种半导体芯片,包括: 半导体衬底;以及 层叠膜,其形成在所述半导体衬底上,包括含碳绝缘膜,所述含 碳绝缘膜在端部的碳组分比在内部的碳组分低。
公开号  101276803A
公开日  2008-10-01
专利代理机构  中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人  关兆辉 陆锦华
颁证日  
优先权  2005.3.18 JP 2005-079105
 
国别 优先权号 优先权日 类型
JP  2005-079105  20050318 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
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