双镶嵌结构的制造方法
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Making method for dual enchasing structure

申请号：200610029908.0 申请日：2006-08-10

	摘要：一种双镶嵌结构的制造方法,包括:提供一表面具有第一介质层的半导体衬底;在所述第一介质层中形成金属互连线;在所述第一介质层和所述导电结构层表面形成覆盖层;在所述覆盖层上形成第二介质层并在所述第二介质层中形成连接孔;在所述第二介质层上形成底部抗反射层、遮挡层和光致抗蚀剂层;刻蚀所述底部抗反射层、遮挡层和光致抗蚀剂层,以及所述覆盖层直至露出所述金属互连线;填充金属材料形成双镶嵌结构。本发明的方法在第二介质层上覆盖的底部抗反射层表面淀积一层致密的遮挡层,这层遮挡层能够阻止覆盖层中的氮离子与光致抗蚀剂接触,从而避免了光致抗蚀剂中毒现象的发生。
	Abstract：
	申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
	Applicant： SEMICONDUCTOR MFG INT SHANGHAI[CN]
	地址： 201203上海市********(隐藏)
	发明(设计)人：宁先捷
	Inventor： XIANJIE NING[CN]
	主分类号： H01L23/522(2006.01)I
	分类号： H01L23/522(2006.01)I H01L21/768(2006.01)I

法律状态

2012-03-14	专利权的转移IPC(主分类):H01L 23/522变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更后权利人:中芯国际集成电路制造（北京）有限公司登记生效日:20120201

2009-11-18	授权

2008-04-09	实质审查的生效

2008-02-13	公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

其他信息

主权项

1.一种双镶嵌结构的制造方法，包括：提供一表面具有第一介质层的半导体衬底；在所述第一介质层中形成金属互连线；在所述第一介质层和所述导电结构层表面形成覆盖层；在所述覆盖层上形成第二介质层并在所述第二介质层中形成连接孔；在所述第二介质层上形成三层结构；刻蚀所述三层结构和所述覆盖层直至露出所述金属互连线；填充金属材料形成双镶嵌结构。

公开号

101123243A

公开日

2008-02-13

专利代理机构

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人

逯长明

颁证日

优先权

国别	优先权号	优先权日	类型

CN	200610029908	20060810	Y

国际申请

国际公布

进入国家日期

专利对比文献

类型	阶段	文献号	公开日期	涉及权利要求项	相关页数

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Ｘ：单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件；
Ｙ：与检索报告中其他Ｙ类文件组合后影响权利要求的创造性的文件；
Ａ：背景技术文件，即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件；
Ｒ：任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件；
Ｐ：中间文件，其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件，或会导致需核实该申请优先权的文件；
Ｅ：单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。