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液晶显示器件的制造方法
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Method for fabricating liquid crystal display device

申请号:200710126009.7 申请日:2007-06-29
摘要:本发明公开了一种液晶显示器件的制造方法,包括:提供具有像素部的第一基板;在其中形成有栅极的第一基板上顺序层叠栅绝缘层、半导体层和第一导电层;用半色调掩模在第一导电层上形成第一PR图案,该第一PR图案在将要形成晶体管的沟道区域上构图为相对较薄;用第一PR图案对第一导电层进行构图;通过在第一PR图案上进行第一灰化工序来形成与第一导电层外围对齐的第二PR图案;使用第二PR图案对半导体层进行构图;使用第二PR图案形成源极/漏极;在第一基板上形成钝化层和像素电极;将第一基板粘附到第二基板;在第一基板和第二基板之间形成液晶层。
Abstract: Disclosed is a method for fabricating a liquid crystal display device comprising: providing a first substrate having a pixel portion and a pad portion; sequentially laminating a gate insulating layer, a semiconductor layer and a first conductive layer on the first substrate where a gate electrode is formed; forming a first PR pattern, which is patterned relatively thin on a channel region of a transistor to be formed, on the first conductive layer with a half-tone mask; patterning the first conductive layer with the first PR pattern; forming a second PR pattern which is aligned with an outer periphery of the first conductive layer by performing a first ashing process on the first PR pattern; patterning the semiconductor layer using the second PR pattern; forming source/drain electrodes using the second PR pattern; forming a passivation layer and a pixel electrode on the first substrate; attaching a second substrate to the first substrate; and forming a liquid crystal layer between the first substrate and the second substrate.
申请人: LG.菲利浦LCD株式会社
Applicant: LG PHILIPS LCD CO LTD[KR]
地址: 韩国首尔
发明(设计)人: 金雄植 李旺宣
Inventor: SIK KIM WOONG[KR]
主分类号: G02F1/1362(2006.01)I
分类号: G02F1/1362(2006.01)I G03F7/00(2006.01)I H01L21/00(2006.01)I
  • 法律状态
2009-07-01  授权
2008-02-27  实质审查的生效
2008-01-02  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种液晶显示器件的制造方法,包括: 提供具有像素部的第一基板; 在其中构图有栅极的第一基板上顺序层叠栅绝缘层、半导体层、导电层和 光刻胶薄膜; 通过使用半色调掩模将光刻胶薄膜构图来形成光刻胶薄膜图案; 使用光刻胶薄膜图案作为掩模将导电层和半导体层构图; 通过第一灰化工序部分地去除光刻胶薄膜图案; 通过使用剩余的光刻胶薄膜图案作为掩模将导电层构图以形成源极/漏 极; 在第一基板上形成钝化层和像素电极; 将第一基板粘附到第二基板;以及 在第一基板和第二基板之间形成液晶层。
公开号  101097381A
公开日  2008-01-02
专利代理机构  北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人  徐金国 梁挥
颁证日  
优先权  2006.6.30 KR 10-2006-0061475
 
国别 优先权号 优先权日 类型
KR  10-2006-0061475  20060630 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
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