搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

具有浅隔离槽的半导体器件
无权-未缴年费
著录变更
权利转移

申请号:99102764.7 申请日:1999-02-12
摘要:用于形成具有用于隔离元件区域的隔离槽的半导体器件的方法包括以下步骤:在硅衬底上形成基底氧化膜和氮化硅膜,用氮化硅膜作掩模形成隔离槽,在隔离槽中依次形成热氧化膜、CVD氧化膜和偏置氧化膜,去掉硅衬底的特定位置上的膜,留下用氧化膜填充的隔离槽。偏置氧化膜是用高密度等离子体CVD技术形成的。硅表面用CVD氧化膜保护,在高密度CVD步骤过程中不受等离子体损坏,由此获得晶体管的优异特性。
申请人: 日本电气株式会社
地址: 日本东京都
发明(设计)人: 风间贤也 菅原治
主分类号: H01L21/76
分类号: H01L21/76
  • 法律状态
2015-04-01  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 21/76申请日:19990212授权公告日:20050413终止日期:20140212
2010-09-29  专利权人的姓名或者名称、地址的变更IPC(主分类):H01L 21/76变更事项:专利权人变更前:恩益禧电子股份有限公司变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县川崎市变更后:日本神奈川县川崎市
2005-04-13  授权
2003-05-21  <变更事项>申请人<变更前权利人>日本电气株式会社<变更后权利人>恩益禧电子股份有限公司<登记生效日>2003.03.28
2003-05-21  <变更事项>地址<变更前权利人>日本东京都<变更后权利人>日本神奈川县川崎市<登记生效日>2003.03.28
2000-11-01  
1999-08-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种制造半导体器件的方法,包括以下连续步骤:腐蚀硅衬底的表面 区域,从而形成隔离槽;在所述隔离槽的内壁上形成热氧化膜;至少在所述热 氧化膜上淀积CVD氧化膜;用高密度等离子体CVD技术淀积偏置氧化膜, 其叠加在其上包括所述隔离槽的所述硅衬底上;去掉保留在所述硅衬底的特定 位置上的至少所述偏置氧化膜的一部分,留下至少用所述偏置氧化膜填充的所 述隔离槽;和形成用所述隔离槽使其彼此分离的多个元件区域。
公开号  1226743
公开日  1999-08-25
专利代理机构  中国专利代理(香港)有限公司
代理人  陈景峻
颁证日  
优先权  1998.2.12 JP 29998/98
国际申请  
国际公布  
进入国家日期