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制造半导体器件的方法
无权-未缴年费
权利转移

申请号:99102533.4 申请日:1999-02-23
摘要:本发明涉及制造半导体器件的方法,在这种半导体器件中,圆柱形构件的内壁表面和外壁表面的半球状颗粒尺寸是一样的,以促进表面面积的增加,并防止在相临圆柱形构件之间的短路。通过(i)去除非晶态硅初始生长层或(ii)抑制初始生长层的作用来实现上述目的。
申请人: 日本电气株式会社
地址: 日本东京
发明(设计)人: 山西信之 广田俊幸
主分类号: H01L21/70
分类号: H01L21/70 H01L21/28 H01L21/8242
  • 法律状态
2016-04-06  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 21/8242申请日:19990223授权公告日:20031231终止日期:20150223
2013-09-25  专利权的转移IPC(主分类):H01L 21/8242变更事项:专利权人变更前权利人:尔必达存储器株式会社变更后权利人:PS4拉斯口有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:卢森堡卢森堡市登记生效日:20130905
2004-05-19  <变更事项>专利权人<变更前权利人>恩益禧电子股份有限公司<变更后权利人>尔必达存储器株式会社<登记生效日>2004.03.29
2004-05-19  <变更事项>地址<变更前权利人>日本神奈川<变更后权利人>日本东京<登记生效日>2004.03.29
2003-12-31  授权
2003-06-04  <变更事项>申请人<变更前权利人>日本电气株式会社<变更后权利人>恩益禧电子股份有限公司<登记生效日>2003.04.10
2003-06-04  <变更事项>地址<变更前权利人>日本东京<变更后权利人>日本神奈川<登记生效日>2003.04.10
1999-08-25  公开
1999-07-21  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.制造半导体器件的方法,所述半导体器件具有一个衬底以及在 衬底上形成的圆柱形构件,所述方法包括: 在衬底上形成由可蚀刻材料制成的间隔层的步骤, 在间隔层上制造陷穴的步骤, 沿着所述陷穴制造非晶态硅薄膜,以形成非晶态硅圆柱形构件的步 骤,其中所述非晶态硅薄膜作为所述圆柱形构件的圆柱形壁, 曝光步骤,蚀刻所述间隔层,以使所述非晶态硅圆柱形构件的内壁 表面和外壁表面曝露出, 去除步骤,通过蚀刻去除非晶态硅圆柱形构件的外壁表面层, 处理所述非晶态硅圆柱形构件的外壁表面和内壁表面以在其上形 成半球形硅晶粒的步骤,从而将所述非晶态硅圆柱形构件转变为多晶硅 圆柱形构件,且其外壁表面和内壁表面均有半球形硅晶粒。
公开号  1226742
公开日  1999-08-25
专利代理机构  中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人  穆德骏 余朦
颁证日  
优先权  1998.2.19 JP 037123/1998
国际申请  
国际公布  
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