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存储器单元装置及其制造方法
无权-未缴年费

申请号:99101090.6 申请日:1999-01-15
摘要:一种存储器单元装置包括三维布置的各晶体管。在此各垂直MOS晶体管是布置在半导体接片的各侧壁上的,在此在每个侧壁上相叠地布置了多个晶体管。这些在侧壁上相叠地布置的各晶体管是串联的。
申请人: 西门子公司
地址: 联邦德国慕尼黑
发明(设计)人: H·雷辛格 W·克劳特施奈德 R·斯藤格尔 J·韦勒 F·霍夫曼
主分类号: H01L27/112
分类号: H01L27/112
  • 法律状态
2011-03-23  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 27/112申请日:19990115授权公告日:20030820终止日期:20100222
2003-08-20  授权
2000-12-20  
1999-08-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.存储器单元装置, -其中,在半导体衬底的一个主面上布置了探出半导体衬底主面的各 接片, -其中,这些接片各自具有一个各掺杂层的层叠,在此层叠中互相相 邻的各层是各自由相反导电型掺杂的, -其中,每三个相邻掺杂层形成晶体管的两个源/漏区和一个沟道 区, -其中,各层叠的至少一个侧壁是配备了一种栅极电介层的, -其中,在各层叠的各侧壁范围中各自界靠到栅极电介层的各字线横 对这些接片延伸, -其中,起源/漏区作用的各掺杂层作为各位线起作用, -其中,在此层叠中安排这么多的掺杂层,使得通过这些掺杂层至少 实现两个相叠地布置的晶体管,这些晶体管是经一个起共同源/漏区 作用的共同掺杂层串联的。
公开号  1226748
公开日  1999-08-25
专利代理机构  中国专利代理(香港)有限公司
代理人  马铁良 王忠忠
颁证日  
优先权  1998.1.15 DE 19801308.6
国际申请  
国际公布  
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