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双极型晶体管及半导体装置
无权-视为撤回

申请号:99100820.0 申请日:1999-02-23
摘要:在异质结双极型晶体管的Si发射极层5内的发射结附近区域中设有由组成不同的超薄膜势阱层10a和势垒层10b交互层叠而形成的为多重量子势垒部的MQB层10。借助MQB层10对要从SiGe基极层4流向Si发射极层5的空穴进行反射之作用,实效上提高势垒高度来抑制空穴的反向注入。结果,即使增加基区掺杂浓度,靠MQB层10仍能抑制载流子反向注入,能得到足够的电流放大率,并能提高最大振荡频率。
申请人: 松下电器产业株式会社
地址: 日本国大阪府
发明(设计)人: 高木刚 服藤宪司
主分类号: H01L29/737
分类号: H01L29/737
  • 法律状态
2004-06-02  
2001-05-09  
1999-08-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种由发射极层、基极层和集电极层构成的双极型晶体管,其特征 在于: 在上述发射极层内具备多重量子势垒部,该势垒部是把多层势垒层和 势阱层交互重叠起来而构成的,并具有为使从上述基极层注入的载流子 (发射极层的少数载流子)的入射波和反射波成为互相增强的相位而使载流 子反射的功能。
公开号  1226750
公开日  1999-08-25
专利代理机构  中科专利代理有限责任公司
代理人  汪惠民
颁证日  
优先权  1998.2.20 JP 038758/98; 1998.6.3 JP 154689/98; 1998.6.3 JP 154700/98
国际申请  
国际公布  
进入国家日期