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高效大功率大光腔半导体激光器
无权-未缴年费

申请号:99100395.0 申请日:1999-01-28
摘要:一种高效大功率大光腔半导体激光器,属于半导体光电子技术领域,其特征是,采用了由多个重复排列的单元发光区及位于每相邻两单元发光区之间的P+-N+隧道二极管所构成的多级耦合整体大光腔式发光区结构,通过各单元发光区间的隧道二极管为前级复合掉的电子和空穴提供再生通道,从而多倍地提高器件的量子效率和输出功率。本发明可提供高效大功率、具有窄发散角的半导体激光,广泛用于光通讯、光泵浦、光读写、激光医疗、激光雷达等领域。
申请人: 北京工业大学
地址: 100022北京市朝阳区平乐园100号
发明(设计)人: 沈光地 殷涛 廉鹏 陈建新 邹德恕 高国 陈良惠 王启明 杜金玉 韩金茹 陈昌华
主分类号: H01S3/18
分类号: H01S3/18 H01S3/085
  • 法律状态
2016-03-23  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01S 5/32申请日:19990128授权公告日:20030604终止日期:20150128
2003-06-04  授权
1999-08-25  公开
1999-07-28  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种高效大功率大光腔半导体激光器,由电极(1)和(7),p型电极接触层(2),p型包层(3) 和n型包层(5),衬底(6)及发光区构成,其特征在于:所述的发光区为一多级耦合整体大光 腔(4),它包括多个重复排列的单元发光区(8)及位于每相邻两单元发光区之间的P+-N+隧道 二极管(9,10)。
公开号  1226759
公开日  1999-08-25
专利代理机构  北京工业大学专利代理事务所
代理人  张慧
颁证日  
优先权  1998.6.3 CN 98205290.1
国际申请  
国际公布  
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