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使用MOS栅型半导体元件的电力变换装置
无权-未缴年费

申请号:98800691.X 申请日:1998-05-22
摘要:一种电力变换装置,包括:MOS栅型半导体元件的IEGT(1);在该IEGT(1)的栅极和射极间供给导通电压的导通电压供给电源(2)及开关(4);在IEGT(1)的栅极-射极端子间供给截止电压的截止电压供给电源(3)及开关(5)。该电力变换装置具有与IEGT(1)的射极端子连接的电感(8)。
申请人: 株式会社东芝
地址: 日本神奈川县川崎市
发明(设计)人: 星公弘 岩野义范 中山和也
主分类号: H02M1/06
分类号: H02M1/06 H02M1/08
  • 法律状态
2007-07-25  
2002-02-06  授权
1999-09-01  
1999-08-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种电力变换装置,包括:MOS栅型半导体元件部;在该MOS 栅型半导体元部的栅极-射极端子间供给导通电压的导通电压供给部; 在该MOS栅型半导体元件部的栅极-射极间供给截止电压的截止电压供 给部,其特征在于,它包括与所述MOS栅型半导体元件部的发射极端子 连接的电感单元。
公开号  1227011
公开日  1999-08-25
专利代理机构  中国专利代理(香港)有限公司
代理人  王勇 叶恺东
颁证日  
优先权  1997.5.23 JP 133181/97
国际申请  PCT/JP98/02267 98.5.22
国际公布  WO98/53546 日 98.11.26
进入国家日期  1999.01.22