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具有防止电荷泄漏的浮栅存储单元
无权-视为撤回

申请号:98800616.2 申请日:1998-04-30
摘要:一种减少了电荷泄漏的浮栅存储单元(60)的制造工艺。在浮栅(69)的侧面上形成再生长氧化物(73),然后被氧化物保护涂层(64、66)所覆盖。该结构适用于自对准硅化物和非自对准硅化物存储单元,在具有异常侧壁形状的栅极堆叠的浮栅存储单元中尤其有用。
申请人: 爱特梅尔股份有限公司
地址: 美国加利福尼亚州
发明(设计)人: B·J·拉森 武重庆
主分类号: H01L29/788
分类号: H01L29/788
  • 法律状态
2001-02-28  
1999-08-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种集成电路存储器,包括减少了电荷泄漏的浮栅存储单元,其特征在于 该存储器包括: 位于第一导电类型的衬底上的栅氧化物上的浮栅,所述浮栅的长度由限定所 述浮栅的侧面的第一对内壁来确定; 所述浮栅上的共晶氧化物; 位于所述共晶氧化物上的控制栅极,所述控制栅极的长度由限定所述控制栅 极的侧面的第二对内壁来确定; 靠近所述控制栅极的所述第二对内壁中第一内壁的第二导电类型的源区; 靠近所述控制栅极的所述第二对内壁中第二内壁的第二导电类型的漏区,所 述第二内壁与所述第一内壁相对; 覆盖所述浮栅的所述第一对内壁的再生长氧化物,所述再生长氧化物的厚度 足以基本上防止电荷穿过所述再生长氧化物,所述再生长氧化物进而敏感于预定 的蚀刻剂;以及 位于所述第一对内壁的至少一个内壁上并覆盖所述再生长氧化物的绝缘涂 层,所述绝缘涂层可抵抗所述预定蚀刻剂。
公开号  1227001
公开日  1999-08-25
专利代理机构  上海专利商标事务所
代理人  张政权
颁证日  
优先权  1997.5.9 US 08/853,691
国际申请  PCT/US98/08709 98.4.30
国际公布  WO98/50960 英 98.11.12
进入国家日期  1999.01.11