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一种高梯度场磁处理器
无权-未缴年费

申请号:98206048.3 申请日:1998-06-23
摘要:本实用新型涉及一种高梯度场磁处理器,由外壳及磁路装置构成,外壳为铁质的密闭套筒,磁路装置包括上下内置体设置一对装有稀土永磁体的组合件,上下永磁体中间设置铁质材料导磁板,前后两侧在永磁体上下两极边缘间设两片与磁路走向同方向的磁片,在内置体边环侧有铁质槽形导磁铁;在磁路装置的前后分别装置气、液态物质导流槽。其形成磁化区域内均匀强磁场及边缘的高梯度场强,适用于对气、液态物质的磁化,从而达降低损耗的作用。
申请人: 孟祥林 王亮
地址: 100029北京市朝阳区小关北安苑东里一区14号计量科研所内宿舍楼7门601号
发明(设计)人: 孟祥林 王亮
主分类号: C02F1/48
分类号: C02F1/48
  • 法律状态
2003-07-30  
1999-08-25  授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种高梯度场磁处理器,由外壳及磁路装置构成,其特征在于:所述 的外壳为一铁质的密闭套筒,所述的磁路装置包括上下内置体设置一对装有稀 土永磁体的组合件,上下永磁体中间处设置一铁质材料导磁板,前后两侧在永 磁体上下两极边缘间设置两片与磁路走向同方向的磁片,在内置体的边环侧有 一套铁质槽形导磁铁;在磁路装置的前后分别装置气、液态物质导流槽。
公开号  2334750
公开日  1999-08-25
专利代理机构  北京市专利事务所
代理人  朱丽华
颁证日  1999-07-09
优先权  
国际申请  
国际公布  
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