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等离子体处理装置
无权-未缴年费
权利转移

申请号:98126553.7 申请日:1998-12-25
摘要:平行板等离子体处理装置包括上电极和设置上电极下面并与之平行延伸的下电极。下电极起半导体晶片台的作用用于支撑其上的晶片。等离子体扩展构件在下电极上半导体晶片的外周边区域上紧邻径向向外地设置。等离子体扩展构件由其电阻保持在规定范围内的半导体材料制成。等离子体在上和下电极之间产生,并稳定在覆盖半导体晶片的整个表面的区域。
申请人: 日本电气株式会社
地址: 日本东京
发明(设计)人: 松村浩
主分类号: H01L21/3065
分类号: H01L21/3065
  • 法律状态
2006-02-22  
2004-06-16  授权
2003-06-04  <变更事项>申请人<变更前权利人>日本电气株式会社<变更后权利人>恩益禧电子股份有限公司<登记生效日>2003.04.10
2003-06-04  <变更事项>地址<变更前权利人>日本东京<变更后权利人>日本神奈川<登记生效日>2003.04.10
1999-08-25  公开
1999-07-28  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种平行板等离子体处理装置,包括: 上电极; 设置在上电极下面并与之平行延伸的下电极,所述下电极起半导体 晶片台的作用用于支撑其上的晶片;以及 设置在下电极上与半导体晶片的外周边区域紧邻的径向向外区域 上的等离子体扩展构件,所述等离子体扩展构件由其电阻在规定范围内 的半导体材料制成。
公开号  1226740
公开日  1999-08-25
专利代理机构  中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人  穆德骏
颁证日  
优先权  1997.12.25 JP 357542/97
国际申请  
国际公布  
进入国家日期