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具有垂直栅侧壁的场效应晶体管和制造这种晶体管的方法
无权-未缴年费

申请号:98126049.7 申请日:1998-12-24
摘要:MOSFET具有薄的栅氧化层和位于该栅氧化层上的垂直侧壁的栅导体。在源区和沟道区及漏区和沟道区之间的界面是突变的。在包括衬垫氧化层的半导体结构上形成介质叠层;在该介质叠层上界定具有待形成的栅柱的横向尺寸和形状的刻蚀窗;用RIE工艺将该刻蚀窗转移到该介质叠层中从而在该介质叠层中界定栅孔;淀积栅导体充填该栅孔;除去覆盖该栅孔周围的半导体结构部分的栅导体;除去该介质叠层的至少一部分,以便将具有垂直侧壁的栅柱设置成独立的。
申请人: 国际商业机器公司
地址: 美国纽约
发明(设计)人: 迪亚尼·C·伯伊德 斯图亚特·M·伯恩斯 侯塞因·I·哈纳非 袁·陶尔 威廉·C·维尔
主分类号: H01L29/78
分类号: H01L29/78 H01L21/336
  • 法律状态
2012-03-14  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 29/78申请日:19981224授权公告日:20040623终止日期:20101224
2004-06-23  授权
1999-08-25  公开
1999-05-12  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),包括: ·邻近于沟道区的漏区和源区; ·位于沟道区上的薄的栅氧化层; ·位于栅氧化层上的栅导体; 所述栅导体具有垂直侧壁,并且源区和沟道区以及漏区和沟道区之间 的结是突变的。
公开号  1226753
公开日  1999-08-25
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人  王永刚
颁证日  
优先权  1998.2.19 US 026,093
国际申请  
国际公布  
进入国家日期