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具有垂直侧壁的亚光刻栅的场效应晶体管的制造方法
无权-未缴年费

申请号:98126048.9 申请日:1998-12-24
摘要:形成FET尤其是MOSFET的方法,包括:在半导体结构上形成介质叠层;在该介质叠层上界定刻蚀窗;通过使用反应离子刻蚀(RIE)工艺将该刻蚀窗转移到介质叠层中从而在该介质叠层中界定栅孔;淀积侧壁层;从该介质叠层的水平表面除去该侧壁层,使得侧壁隔离层留在该栅孔内以便减少该栅孔的横向尺寸;淀积栅导体,使其充填该栅孔;除去覆盖该栅孔周围的半导体结构部分的栅导体;除去该介质叠层的至少一部分;以及除去该侧壁隔离层。
申请人: 国际商业机器公司
地址: 美国纽约
发明(设计)人: 迪亚尼·C·伯伊德 斯图亚特·M·伯恩斯 侯塞因·I·哈纳非 袁·陶尔 威廉·C·维尔
主分类号: H01L21/336
分类号: H01L21/336 H01L29/78
  • 法律状态
2011-03-16  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 21/336申请日:19981224授权公告日:20030716终止日期:20100125
2003-07-16  授权
1999-08-25  公开
1999-05-12  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的方法, 包括下述工序: 在半导体结构上形成介质叠层; 在该介质叠层上界定刻蚀窗; 通过使用反应离子刻蚀(RIE)工艺将该刻蚀窗转移到该介质叠层中 从而在该介质叠层中界定栅孔; 淀积侧壁层; 从水平表面除去该侧壁层,使得侧壁隔离层留在该栅孔内以便减少该 栅孔的横向尺寸; 淀积栅导体,使其充填该栅孔; 除去该栅孔外面的栅导体; 除去该介质叠层的至少一部分;以及 除去该侧壁隔离层。
公开号  1226741
公开日  1999-08-25
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人  王永刚
颁证日  
优先权  1998.2.19 US 026,261
国际申请  
国际公布  
进入国家日期