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具有改善了注入剂的场效应晶体管及其制造方法
无权-未缴年费

申请号:98126026.8 申请日:1998-12-24
摘要:MOSFET具有垂直侧壁的栅导体并包括相对于栅导体来定位并限于栅导体之下区域的阈值调节注入区和/或穿通注入区。在半导体结构上形成介质叠层;在该介质叠层上界定具有待形成的栅孔的横向尺寸和形状的刻蚀窗;用RIE工艺将该刻蚀窗转移到该介质叠层中界定栅孔;穿过该栅孔注入阈值调节掺杂剂和/或穿通掺杂剂;淀积栅导体,使其充填该栅孔;除去覆盖该栅孔周围的半导体结构部分的栅导体;除去该介质叠层的至少一部分。
申请人: 国际商业机器公司
地址: 美国纽约
发明(设计)人: 迪亚尼·C·伯伊德 斯图亚特·M·伯恩斯 侯塞因·I·哈纳非 袁·陶尔 威廉·C·维尔
主分类号: H01L29/78
分类号: H01L29/78 H01L21/336
  • 法律状态
2011-03-16  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 29/78申请日:19981224授权公告日:20050914终止日期:20100125
2005-09-14  授权
1999-08-25  公开
1999-05-12  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),包括: ·邻近于沟道区的漏区和源区; ·位于沟道区上的栅氧化层; ·位于栅氧化层上的具有垂直侧壁的栅导体; 所述晶体管还包括相对于栅导体来定位的并限于栅导体之下区域的阈 值调节注入区和/或穿通调节区。
公开号  1226752
公开日  1999-08-25
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人  王永刚
颁证日  
优先权  1998.2.19 US 026,094
国际申请  
国际公布  
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