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半导体器件
无权-未缴年费

申请号:98125384.9 申请日:1996-07-17
摘要:一个由一个p+集电区(1),一个n型缓冲区(3),一个n-区(5)和一个n+阴极区(7)组成的pin二极管。一个从n+阴极区(7)的表面开始穿过n+阴极区(7)后到达n-区(5)的沟槽(9)。沿着沟槽9的内壁形成一层绝缘膜(11)。形成一个栅电极层(13)隔着绝缘与n+阴极区(7)的侧壁相对。形成一个阴极(17)与n+阴极区(7)电连接。形成一个阳极(19)与p+集电区(1)电连接。n+阴极区(7)整个形成在互相平行伸展的沟槽(9)之间的表面上。这样,一种其栅控电路被简化、且导通特性很好的功率半导体器件即可得到。
申请人: 三菱电机株式会社
地址: 日本东京
发明(设计)人: 高桥彻雄 中村胜光 凑忠玄 原田真名
主分类号: H01L29/739
分类号: H01L29/739 H01L29/745
  • 法律状态
2015-09-09  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 29/739申请日:19960717授权公告日:20060111终止日期:20140717
2006-01-11  授权
1999-08-25  公开
1999-07-28  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种半导体器件,其中的电流在一个本征或第一导电型的半导体衬底 (105)的第一和第二主表面间流动,包括: 在所述半导体衬底的所述第一主表面上形成的第二导电型的第一杂质 区(107);以及 在所述半导体衬底的所述第二主表面上形成的第二导电型的第二杂质 区(101);它与所述第一杂质区一起夹着一个所述半导体衬底的低浓度区 (105);其中 所述半导体衬底包括从所述第一主表面开始穿过所述的第一杂质区后 到达所述半导体衬底的所述低浓度的沟槽(113); 所述器件进一步包括: 在所述第一杂质区上的第一导电型的第三杂质区(109),它与在所述半 导体衬底的所述第一主表面上的所述沟槽的侧壁接触; 一个在所述沟槽中形成的控制电极层(117),它隔着一层绝缘膜(115)与 所述第一和第三杂质区以及所述半导体衬底的所述低浓度区相对,它通过 所施加的控制电压控制在所述第一和第二主表面之间流动的电流; 一个第一电极层(121),它在所述半导体衬底的所述第一主表面上形 成,并与所述第三杂质区电连接; 一个在所述半导体衬底的所述第二主表面上形成,并与所述第二杂质 区电连接的第二电极层;其中 如果用Dt表示所述沟槽离所述第一主表面的深度,Wt表示所述沟槽 宽度,De表示所述第三杂质区离所述第一主表面的深度,We表示所述第 三杂质区从其中一个所述沟槽到其中另一个所述沟槽的宽度,Pt表示相邻 所述沟槽的间距,则下列表达式成立: 2 ( We + Dt - De ) + Wt 2 ( We + Dt - De ) + Pt 0.4
公开号  1226751
公开日  1999-08-25
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人  付建军
颁证日  
优先权  1995.7.19 JP 183102/95; 1995.9.14 JP 237002/95; 1995.10.27 JP 280961/95
国际申请  
国际公布  
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