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半导体装置及其制造方法
无权-未缴年费

申请号:98120826.6 申请日:1998-09-30
摘要:本发明的课题是在半导体器件中消除层间绝缘膜中的布线层与经过附近的垂直的导电体栓短路的情况。在半导体衬底上的绝缘膜中形成开口,在绝缘膜上形成导电体膜以便充填该开口。首先用化学刻蚀除去该导电体膜,用充填了开口的导电体膜形成导电体栓。其后,对绝缘膜的表面进行化学机械研磨,形成与导电体栓的表面相同的平坦的表面。在其上经薄的绝缘膜形成布线图形。
申请人: 三菱电机株式会社
地址: 日本东京都
发明(设计)人: 高田佳史 坂井裕一 岩崎正修 千叶原宏幸
主分类号: H01L23/52
分类号: H01L23/52 H01L21/768 H01L21/28
  • 法律状态
2006-11-29  
2004-05-12  授权
1999-08-25  公开
1999-03-17  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种半导体装置,其特征在于,包括:在半导体衬底上形成、其表 面已被平坦化的第1绝缘膜;充填设置在该第1绝缘膜中的开口而形成、 具有与该第1绝缘膜的表面相同的高度的表面的导电体栓;至少在上述第 1绝缘膜的表面上形成的第2绝缘膜;在该第2绝缘膜的表面上形成的布 线图形;在上述第2绝缘膜的表面上为覆盖上述布线图形而形成的第3绝 缘膜;以及为充填贯通上述第3绝缘膜和第2绝缘膜的开口而被形成、与 上述导电体栓进行导电性连接的连接导电体。
公开号  1226747
公开日  1999-08-25
专利代理机构  中国专利代理(香港)有限公司
代理人  杨凯 叶恺东
颁证日  
优先权  1998.2.16 JP 33204/98
国际申请  
国际公布  
进入国家日期