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半导体制造过程中非保形器件层的平面化
无权-未缴年费

申请号:98119767.1 申请日:1998-09-28
摘要:从形成于复杂图形之上的非保形器件层形成一基本上平面的表面,它包括带有窄间隙的窄图形和带有宽间隙的宽图形。在非保形层上沉积一保形层。该表面然后被抛光,以暴露宽图形上的非保形层。然后,用对非保形层具有选择性的蚀刻基本除去宽图形之上的非保形层。然后,除去保形层,暴露非保形层。和以前相比,现在的非保形层的厚度更加均匀。这就使抛光可以形成一平表面,其宽间隙内的表面凹隔减少了。
申请人: 西门子公司 国际商业机器公司
地址: 联邦德国慕尼黑
发明(设计)人: 凯瑟琳·H·瓦里安 德克·托本 马修·森德尔巴赫
主分类号: H01L21/82
分类号: H01L21/82 H01L21/302
  • 法律状态
2017-11-10  未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/76申请日:19980928授权公告日:20030917终止日期:20160928
2003-09-17  授权
2000-06-21  
1999-08-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种在制造集成电路过程中用于使非保形膜平面化的方法,包括: 提供一基底,其中,基底的表面包括由窄间隙隔开的窄图形和由宽间隙 隔开的宽图形; 在基底表面上沉积一非保形器件层,以填充窄和宽间隙,非保形器件层 在宽图形上的厚度大于在窄图形上的厚度; 在非保形层上沉积一保形层,其中,下置非保形层的形貌反应在保形层 的表面上; 使保形层平面化,用非保形层作为停止层,该平面化过程在保形层和非 保形层之间形成一平表面,其中,宽图形之上的非保形层被暴露; 蚀刻非保形层,其对保形层具有选择性,除了宽图形的边缘处小部分被 保形层保护外,宽图形上的非保形层都被除去; 用蚀刻除去保形层,蚀刻使非保形层保持在窄图形的表面上和宽图形的 边缘的小部分上;和 用抛光来形成带有宽和窄图形表面的平的表面,其中,抛光产生一基本 上平面的表面,其在宽间隙上的表面凹隔减少了,因为宽图形上的非保形层 基本上被除去。
公开号  1226744
公开日  1999-08-25
专利代理机构  柳沈知识产权律师事务所
代理人  陶凤波
颁证日  
优先权  1997.9.30 US 940,650
国际申请  
国际公布  
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