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一种高抗激光损伤减反膜的制备方法
无权-未缴年费

申请号:98106504.X 申请日:1998-02-20
摘要:一种高抗激光损伤减反膜的制备方法,包括以下步骤:(1).将原料按一定比例混合后充分搅拌,然后装入密闭容器中,在陈化温度为20—60℃下进行陈化10—180天,得到SiO2溶胶镀膜液;(2).将溶胶镀膜液采用旋转镀膜法制成减反膜。本发明具有原料易得,成本低,制备简单,透过率为100%,抗激光损伤阈值高等特点。
申请人: 中国科学院山西煤炭化学研究所
地址: 030001山西省太原市165信箱
发明(设计)人: 孙予罕 吴东 孙继红 范文浩 徐耀
主分类号: G02B1/11
分类号: G02B1/11
  • 法律状态
2007-04-25  
2003-05-21  授权
1999-11-24  
1999-08-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种高抗激光损伤减反膜的制备方法,包括以下步骤: (1).将原料按一定组成混合后充分搅拌,然后装入密闭容器中,在陈 化温度为20-60℃下进行陈化10-180天,得到SiO2溶胶镀膜液; (2).将溶胶镀膜液采用旋转镀膜法制成减反膜; 其特征在于所述原料组成为(摩尔比): 正硅酸甲酯或正硅酸乙酯∶水∶无水乙醇∶碱∶PEG=1∶(0.01-10)∶(1 -100)∶(0.01-1)∶(0.001-0.2)。
公开号  1226684
公开日  1999-08-25
专利代理机构  中国科学院山西专利事务所
代理人  魏树巍 张承华
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期