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将非易失性存储器和逻辑件引入单亚0.3微米制造的方法
无权-视为撤回

申请号:98105970.8 申请日:1998-02-20
摘要:一种半导体制造工艺,能制造高压晶体管、逻辑晶体管以及存储单元,其中根据亚0.3微米器件几何图形的要求,逻辑晶体管的栅氧化物薄于非易失性存储单元的隧道氧化物的厚度,而不会不合乎要求地污染逻辑晶体管的栅氧化物或污染存储单元的隧道氧化物。当存储单元的隧道氧化物生长到需要的厚度后,立即在其上淀积一层作为存储单元的浮栅的多晶硅,以保护隧道氧化物不受污染,再将逻辑晶体管和高压晶体管的栅氧化物生长到需要的厚度。
申请人: 可编程微电子设备公司
地址: 美国加利福尼亚州
发明(设计)人: 张尚德 李翠萍
主分类号: H01L21/8239
分类号: H01L21/8239
  • 法律状态
2003-04-30  
1999-08-25  公开
1998-09-16  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种制造具有高压区、逻辑区和存储结构的方法,其中所述高压区包 括隔离晶体管,所述逻辑区包括进行逻辑操作的逻辑晶体管,并且所述存储 区包括存储单元,所述方法包括以下步骤: 在半导体衬底的主表面上生长第一氧化层,生长的厚度适于促进电子的 隧道穿通; 在所述第一氧化层上淀积第一多晶硅层; 去掉覆盖所述高压区和逻辑区的所述第一多晶硅层和所述第一氧化层 的部分,其中覆盖所述存储区的所述第一多晶硅层和所述第一氧化层的剩余 部分分别作为所述存储单元的浮栅和隧道氧化物; 在所述存储结构上生长第二氧化层; 使用一层光刻胶掩蔽所述第二氧化层,仅露出覆盖所述逻辑区的第二氧 化层的部分; 去掉覆盖所述逻辑区的所述第二氧化层的所述部分; 去掉光刻胶层; 在所述存储结构上生长第三氧化层,其中覆盖所述高压区的所述第三氧 化层和第二氧化层的部分用做所述隔离晶体管的栅氧化物,其中覆盖所述逻 辑区的所述第三氧化层和第二氧化层的部分用做所述逻辑晶体管的栅氧化 物;以及 在覆盖所述高压区和所述逻辑区的所述第三氧化层的部分上淀积并构 图第二多晶硅层。
公开号  1226745
公开日  1999-08-25
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人  王永刚
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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