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用于半导体衬底的多层焊料密封带及其工艺
无权-未缴年费

申请号:98105905.8 申请日:1998-03-27
摘要:一种为半导体衬底和芯片载体提供密封带的新方案,更准确地说,一种利用多层金属密封向在芯片载体上的芯片提供保护的结构和方法。这种多层金属密封既增长了芯片的气密寿命,又提供了环境保护。在最佳实施例中,多层金属密封带具有三层焊料夹层结构,它有低成本、高可靠性、使模块气密密封的优点。这种焊料夹层结构有一层高熔点的厚的焊料内核,和两层低熔点的薄的焊料层,其中薄的焊料层可以有相同的也可以有不同的熔点。
申请人: 国际商业机器公司
地址: 美国纽约州
发明(设计)人: D·L·爱德华兹 M·G·科特尼 A·S·卡马伦诺 S·S·小特费兹 J·T·科芬 M·J·小伊尔斯沃施 L·S·高曼 S·伊鲁范提 F·L·庞恩皮奥 W·E·赛伯林斯基 R·A·谢利夫 H·T·托尔
主分类号: H01L23/28
分类号: H01L23/28
  • 法律状态
2010-08-04  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 23/02申请日:19980327授权公告日:20040804
2004-08-04  授权
1999-08-25  公开
1999-07-28  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种在盖子与半导体衬底之间形成气密密封带的工艺过程,其 特征在于所述过程包括下面的步骤: (a)形成起码一条焊料预制带,其中所述焊料预制带包括固定在起 码一个高熔点的焊料核的一侧的起码一层第一焊料层,和固定在所述 起码一个高熔点的焊料核的另一侧的起码一层第二焊料层, (b)把所述焊料预制带放置在所述半导体衬底与所述盖子之间形 成亚组件,和 (c)把所述亚组件放置在热环境下,使所述第一和所述第二焊料层 软熔(reflow)而不使所述焊料核层软熔(reflow),以便在所述衬底与所述 盖子之间形成气密密封带。
公开号  1226746
公开日  1999-08-25
专利代理机构  中国专利代理(香港)有限公司
代理人  吴增勇 傅康
颁证日  
优先权  1997.4.30 US 846935
国际申请  
国际公布  
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