搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

横向伸缩多层独石式压电微位移器
无权-未缴年费

申请号:97242532.2 申请日:1997-10-31
摘要:本实用新型涉及一种提供横向伸缩位移多层独石式压电陶瓷微位移器的结构,属于压电陶瓷微位移器的领域。它是在常规的纵向伸缩位移多层独石式压电陶瓷微位移器结构和制备的基础上,通过制备上、下表面电极,克服原表面非活性层对横向伸缩位移的阻止作用;以及配置绝缘层等特殊工艺而发展成的新型器件。本器件特点是体积小、可有效地降低工作电压、特别是可有效地利用增加器件横向长度来增加位移量,适合于制成细棒状的多层独石式压电陶瓷微位移器。可满足点开关、微型机械、计算机硬盘磁头驱动等特种应用。
申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
地址: 200050上海市定西路1295号
发明(设计)人: 陈大任 李国荣 殷庆瑞
主分类号: H04R17/00
分类号: H04R17/00
  • 法律状态
2002-12-11  
1999-08-25  授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种横向伸缩多层独石式压电陶瓷微位移器,包括制备上、下表面 电极,其特征在于该微位移器由压电陶瓷膜片(11、12、13)、内电极(21、 22)、端电极(31、32)、表面电极(41、42)、表面绝缘层(61、62)、端 电极陶瓷绝缘片(71、72)和电极引线(51、52)组成,其中表面电极(41) 和(42)分别和端电极(31)和(32)连成一体;再分别与两组内电极(21), (22)构成两组电极,使表面压电陶瓷层可与内压电陶瓷层一起参与电场 极化,成为压电活性层。
公开号  2335332
公开日  1999-08-25
专利代理机构  上海华东专利事务所
代理人  潘振∴
颁证日  1999-07-16
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期