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具有一种贵金属层的半导体装置及其制造方法
无权-视为撤回

申请号:97196961.2 申请日:1997-09-11
摘要:本发明是关于一种半导体装置,在这种装置中一个氮化硅层(4)被用作为在一个贵金属层,特别是铂层(6)和一个衬底之间的粘接介质。此时氮化硅层(4)本身可以作为衬底。依照本发明的方法其显著特征在于,为了提高贵金属层(6)在氮化硅层(4)上的粘接能力在氮化硅层(4)与阳极(5)之间被加上一个约为250V的衬底偏压。
申请人: 西门子公司
地址: 联邦德国慕尼黑
发明(设计)人: F·欣特麦尔 G·欣德勒 W·哈特纳 C·马组雷-埃斯佩乔
主分类号: H01L21/3205
分类号: H01L21/3205
  • 法律状态
2003-07-09  
1999-11-03  
1999-08-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.用于制造一个半导体装置的方法,该装置具有一个衬底(3)和一个由贵 金属,特别是铂系金属构成的层(6),在衬底与贵金属层之间是一个氮化硅 层或者衬底本身是由氮化硅层构成的,当层(6)是由贵金属,特别是由铂系 金属通过溅射构成时,其特征为,当溅射时在作为阴极(2)的衬底和在一定 距离上安置的阳极(5)之间被加上一个由100V至1000V的衬底偏压。
公开号  1226999
公开日  1999-08-25
专利代理机构  中国专利代理(香港)有限公司
代理人  马铁良 王忠忠
颁证日  
优先权  1996.9.30 DE 19640240.9
国际申请  PCT/DE97/02036 97.9.11
国际公布  WO98/14991 德 98.4.9
进入国家日期  1999.02.01