搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

用于制作无阻挡层的半导体存储器装置的方法
无权-未缴年费
权利转移

申请号:97196947.7 申请日:1997-09-11
摘要:特别是在用铁电的材料作为存储电介质的情况下用于制作半导体存储器装置的方法,其中,存储电容器的一个第一电极和一个选择晶体管之间的导通连接部在淀积存储电介质之后才被建立;以及用该制作方法制作出的存储器装置。
申请人: 西门子公司
地址: 联邦德国慕尼黑
发明(设计)人: G·欣德勒 W·哈特纳 F·辛特迈尔 C·马祖雷-埃斯佩霍
主分类号: H01L21/8247
分类号: H01L21/8247 H01L27/115 H01L21/8242 H01L27/108 H01L21/3205
  • 法律状态
2017-11-03  未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8247申请日:19970911授权公告日:20040512终止日期:20160911
2016-02-03  专利权的转移IPC(主分类):H01L 21/8247登记生效日:20160111变更事项:专利权人变更前权利人:奇梦达股份公司变更后权利人:英飞凌科技股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:德国慕尼黑变更后权利人:德国瑙伊比贝尔格市
2013-03-20  专利权的转移IPC(主分类):H01L 21/8247变更事项:专利权人变更前权利人:英飞凌科技股份有限公司变更后权利人:奇梦达股份公司变更事项:地址变更前权利人:德国新比贝格变更后权利人:德国慕尼黑登记生效日:20130217
2013-03-20  专利权的转移IPC(主分类):H01L 21/8247变更事项:专利权人变更前权利人:西门子公司变更后权利人:英飞凌科技股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:德国慕尼黑变更后权利人:德国新比贝格登记生效日:20130217
2004-05-12  授权
1999-10-13  
1999-08-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种用于制作集成的半导体存储器装置的、具有如下方法步骤 的方法: 一制备一个由具有半导体衬底(3)和一个位于该半导体衬底(3) 上的绝缘层(10)的选择晶体管(2)构成的结构, -在位于选择晶体管(2)的源极区(4)的上方的绝缘层(10) 中建立通路接触孔(12), -把一辅助层(16)敷在绝缘层(10)的表面(14)上并随后在 该辅助层(16)上蚀刻出凹槽(15), -在凹槽(15)的侧面(20)上建立第一电极(18), -把存储电介质(22)敷到第一电极(18)上, -把第二电极(24)敷到存储电介质(22)的暴露面上, -去除辅助层(16), -分别在第一电极(18)之一和选择晶体管(2)之一的源极区 (4)之间建立导通连接部(28)。
公开号  1227000
公开日  1999-08-25
专利代理机构  中国专利代理(香港)有限公司
代理人  马铁良 王忠忠
颁证日  
优先权  1996.9.30 DE 19640273.5
国际申请  PCT/DE97/02032 97.9.11
国际公布  WO98/15002 德 98.4.9
进入国家日期  1999.02.01