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导电体与绝缘体之间防止变质的氟阻挡层
无权-届满

申请号:97120067.X 申请日:1997-10-07
摘要:一种提高金属对自身因暴露在从含氟材料释放出来的氟而变质的抵抗能力的方法,即在绝缘材料与金属之间形成氟阻挡层。本发明材对提高半导体结构中金相(例如铝金相)抗腐蚀和抗中毒的能力特别有用。本发明还包括用这种方法制取的集成电路结构。
申请人: 国际商业机器公司
地址: 美国纽约州
发明(设计)人: E·C·库内三世 H·K·李 T·L·麦德维特 A·K·斯塔姆佩尔
主分类号: H01L21/28
分类号: H01L21/28 H01L21/768 H01L23/52
  • 法律状态
2017-11-24  专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/285申请日:19971007授权公告日:20030416
2003-04-16  授权
1998-05-27  公开
1998-04-29  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种提高金属对自身因暴露在氟中而变质的抵抗能力的方法, 其特征在于,它包括下列步骤: 配备含氟的绝缘材料; 在所述绝缘材料上形成氟阻挡层; 在所述氟阻挡层上形成金属。
公开号  1182956A
公开日  1998-05-27
专利代理机构  中国专利代理(香港)有限公司
代理人  萧掬昌 王忠忠
颁证日  
优先权  1996.11.8 US 744,846
国际申请  
国际公布  
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