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器件隔离方法
无权-未缴年费

申请号:96105851.X 申请日:1996-05-10
摘要:器件隔离方法包括步骤:由在非有源区中形成场氧化膜来划定半导体衬底中的有源区和非有源区;在有源区内形成扩散层;在衬底的整个表面上形成与扩散层部分连接的布线层;在布线层上形成覆盖一部分扩散层及与其邻接的场氧化膜的周边部分的光敏薄膜图形;通过用光敏薄膜图形使布线层形成焊接区;通过把第一沟道中止杂质注入到衬底的整个表面来形成内在场氧化膜下面的第一沟道中止杂质层。从而,改进半导体器件的漏电流和恢复特性,避免工艺复杂化。
申请人: 三星电子株式会社
地址: 韩国京畿道
发明(设计)人: 黄民旭 梁兴模 金载浩 崔原泽 洪源徹
主分类号: H01L21/76
分类号: H01L21/76 H01L21/762
  • 法律状态
2012-07-11  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 21/76申请日:19960510授权公告日:20021009终止日期:20110510
2002-10-09  授权
1998-08-19  
1996-12-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种器件隔离方法,包含步骤: 用在所述的非有源区中形成场氧化膜的方法定出半导体衬底 的有源区和非有源区; 在所述的有源区内形成扩散层; 在其内形成所述的扩散层的所述半导体衬底的整个表面上形 成与所述的扩散层局部连接的布线层; 在所述的布线层上形成覆盖一部分所述的扩散层和与所述的 扩散层邻接的场氧化膜周边部分的光敏薄膜图形; 用所述的光敏薄膜图形将所述的布线层形成图形形成平如焊 接区;和 用把第一沟道中止杂质注入到在其上形成焊接区的衬底的整 个表面的方法,在所述的半导电衬底内在所述的场氧化膜下面形 成第一沟道中止杂质层。
公开号  1138749A
公开日  1996-12-25
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人  杜日新
颁证日  
优先权  1995.5.12 KR 11767/95;1995.12.20 KR 52730/95
国际申请  
国际公布  
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