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制造半导体器件的方法
无权-未缴年费

申请号:96104508.6 申请日:1996-04-08
摘要:一种制造具有电容器的高集成的半导体器件方法,该电容器具有由高介电常数薄膜构成的介质膜,该方法包括:在高温下在已形成有氧化膜的晶片上形成下电极,及在真空下将所得晶片退火,以使下电极具有致密而平滑,可使后续的工艺步骤容易实施。还可实现这种半导体器件的高集成化以及改善半导体器件的可靠性和均匀性。
申请人: 现代电子产业株式会社
地址: 韩国汉城
发明(设计)人: 李元在 李承锡 金昊起 金钟哲
主分类号: H01L21/283
分类号: H01L21/283 H01L21/768 C23C14/22
  • 法律状态
2009-06-10  专利权的终止(未缴年费专利权终止)授权公告日:2001.10.17
2001-10-17  授权
1996-12-25  公开
1996-12-04  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种制造高集存成度半导体器件的方法,包括以下 各步骤: 使内部放置一其表面形成有氧化硅膜的晶片的反应室 保持在高真空状态; 加热该晶片至提高的温度; 通过等离子淀积方法,在反应室内的晶片上形成一导电 层作为半导体器件的下电极;以及
公开号  1138744A
公开日  1996-12-25
专利代理机构  中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人  余朦
颁证日  
优先权  1995.4.7 KR 95-8133
国际申请  
国际公布  
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