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制造掩模只读存储器的方法
无权-未缴年费

申请号:96104318.0 申请日:1996-03-07
摘要:本发明的掩模ROM是按下列工艺制造的:形成其中所有单元都作为导通单元被驱动的单元阵列;通过腐蚀特定单元漏区内半导体基片的某些部分,根据用户的要求,形成凹槽;然后实施源/漏离子注入工艺。
申请人: 现代电子产业株式会社
地址: 韩国京畿道
发明(设计)人: 安在春
主分类号: H01L21/8246
分类号: H01L21/8246
  • 法律状态
2007-05-09  
2001-01-10  授权
1997-03-26  
1996-12-25  公开
1996-12-04  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.制造掩模ROM的方法,包括以下各步骤: 使控制阈值电压的离子注入到已形成场氧化膜的半 导体基片中,然后形成栅氧化膜; 在栅氧化膜上形成多个栅电极,在其上具有抗蚀 膜,因而形成所有单元将被作为导通单元被驱动的单元 阵列; 腐蚀掉从导通单元当中的特定导通单元的栅电极延 伸的半导体基片的某些部分,形成凹槽,因而形成其中 的特定导通单元作为截止单元被驱动的单元阵列,以及; 在已通过源/漏离子注入工艺形成源线和漏区的整 个基片上形成绝缘膜,然后通过接触工艺形成与所说的 漏区连接的位线。
公开号  1138750A
公开日  1996-12-25
专利代理机构  中国专利代理(香港)有限公司
代理人  张志醒 王忠忠
颁证日  
优先权  1995.3.7 KR 4593/95
国际申请  
国际公布  
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