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形成具有浅结和低薄层电阻半导体器件的方法
无权-未缴年费

申请号:96101496.2 申请日:1996-02-24
摘要:本发明提供一种在硅衬底上形成低薄层电阻结的方法,该方法包括以下步骤:在所说硅衬底上形成非晶硅层;将杂质离子注入所说非晶硅层;将过渡金属离子注入所说非晶硅层;热处理所说非晶硅层和硅衬底,使过渡金属离子扩散到所说硅衬底的表面,使所说杂质离子扩散到所说硅衬底里。
申请人: 现代电子产业株式会社
地址: 韩国京畿道
发明(设计)人: 李吉镐
主分类号: H01L21/335
分类号: H01L21/335
  • 法律状态
2016-04-06  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 21/336申请日:19960224授权公告日:20020109终止日期:20150224
2002-01-09  授权
1996-12-25  公开
1996-12-11  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种在硅衬底上形成低薄层电阻结的方法,该方法包括以 下步骤: 在所说硅衬底上形成非晶硅层; 将杂质离子注入所说非晶硅层; 将过渡金属离子注入所说非晶硅层;和 热处理所说非晶硅层和硅衬底,使所说过渡金属离子扩散到所 说硅衬底的表面,使所说杂质离子扩散进所说硅衬底。
公开号  1138748A
公开日  1996-12-25
专利代理机构  柳沈知识产权律师事务所
代理人  黄敏
颁证日  
优先权  1995.2.24 KR 3738/95
国际申请  
国际公布  
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