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光检测装置及其制造方法
无权-未缴年费

申请号:96100548.3 申请日:1996-04-04
摘要:提供可使用各种放大器且电路规模小的光检测装置及其制造方法。第1受光部分PD1由P型半导体基板上形成的N型第1杂质区和N型第1杂质区表面上形成的P型第2杂质区构成,第2受光部分PD2由P型半导体基板和其上形成的N型第3杂质区构成。第1和第2受光部分串联连接,所以使用双极型晶体管作为放大装置能够减小光检测装置的电路规模。另外,第1、第2受光部分上分别加反向偏置电压,提高了光灵敏度。此外,可通过第1、第2受光部分的面积比设定检测光的波段。
申请人: 松下电子工业株式会社
地址: 日本大阪府
发明(设计)人: 大泽胜市 老邑克彦 薄窪秀昭
主分类号: H01L31/10
分类号: H01L31/10 G01J1/44
  • 法律状态
2013-06-05  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 31/10申请日:19960404授权公告日:20020918终止日期:20120404
2002-09-18  授权
1998-05-20  
1996-12-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种光检测装置,特征在于: 具有: 由形成在第1导电型半导体基板上的第2导电型的第1杂质区 和形成在该第1杂质区上的第1导电型的第2杂质区构成的第1受 光部分; 由上述第1导电型半导体基板和形成在该半导体基板上的第2 导电型的第3杂质区构成的、具有与上述第1受光部分不同的光检 测特性且和上述第1受光部分串联连接的第2受光部分; 从上述第1受光部分和上述第2受光部分的连接部位输入上述 第1及第2受光部分发生的光电流的差电流并进行放大的放大装 置。
公开号  1138752A
公开日  1996-12-25
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人  杜日新
颁证日  
优先权  1995.4.5 JP 080115/95
国际申请  
国际公布  
进入国家日期